Die NAND-Produktion von Samsung in China soll gemäß den am 21. Oktober 2026 angekündigten Plänen technologisch aufgerüstet werden. Samsung Electronics plant, 286-lagige V9-NAND-Chips im Werk Xi’an einzuführen. Angestrebt werden eine monatliche Produktion von 5.000 Wafern bis Dezember 2026 und 40.000 Wafern bis Ende 2027.
Wichtige Erkenntnisse
- Die Produktionsziele für Xi’an sind geplante Meilensteine und keine bereits erzielten Produktionssteigerungen.
- Samsungs NAND-Technologie der neunten Generation gab es bereits vor dem Upgrade in China; die Massenproduktion begann im April 2024.
- Auch SK Hynix rüstet seine Produktion in China auf, während beide Unternehmen mit dem Wettbewerb durch YMTC konfrontiert sind.
Inhaltsverzeichnis
- Samsungs NAND-Plan sieht zwei Produktionsmeilensteine vor
- Die V9-Technologie blickt auf eine etablierte Produktionsgeschichte zurück
- Chinesische Werke bleiben ein Schwerpunkt des Speicherwettbewerbs
- Fazit
Samsungs NAND-Plan sieht zwei Produktionsmeilensteine vor
Das Projekt in Xi’an verbindet den Wechsel zu fortschrittlicheren Speicherchips mit einer schrittweisen Steigerung der Waferproduktion. Das monatliche Ziel für Ende 2027 ist achtmal so hoch wie das für Dezember 2026 geplante Niveau. Damit ist der Produktionshochlauf ein wesentlicher Teil des Projekts und nicht nur ein einmaliges Anlagen-Upgrade.
Diese Zahlen beschreiben die angestrebten Produktionsniveaus. Sie belegen weder, dass die aufgerüstete Fertigungslinie eines der beiden Ziele bereits erreicht hat, noch lassen sich allein anhand der Wafermengen die Umsätze oder Gewinne beziffern, die die Investition einbringen wird.
| Position | Details |
|---|---|
| Samsung, Xi’an | Geplante Technologie: 286-lagiger V9-NAND. |
| SK Hynix, Dalian — aktuell | Bestehende Technologie: 192-lagiger NAND. |
| SK Hynix, Dalian — Upgrade | Geplante Technologie: NAND mit mindestens 240 Lagen. |
Die V9-Technologie blickt auf eine etablierte Produktionsgeschichte zurück
Samsungs Ankündigung des V-NAND der neunten Generation im April 2024 bildet den technologischen Hintergrund für den Plan in Xi’an. Am 23. April 2024 gab das Unternehmen bekannt, die Massenproduktion seines V-NAND der neunten Generation mit einem Terabit und Triple-Level-Cell-Technologie aufgenommen zu haben.
Samsung zufolge verbesserte diese Generation die Bitdichte gegenüber dem Vorgänger um etwa 50 Prozent, unterstützte Dateneingabe- und -ausgabegeschwindigkeiten von bis zu 3,2 Gigabit pro Sekunde und senkte den Stromverbrauch um 10 Prozent. Dabei handelt es sich um Vergleiche zwischen Produktgenerationen, nicht um Messwerte zur Leistung des geplanten Upgrades in Xi’an.
Diese Unterscheidung ist wichtig: Bei der Entwicklung im Oktober 2026 geht es darum, fortschrittliche Technologie an einem bestimmten Fertigungsstandort einzusetzen, nicht um die erstmalige Einführung von NAND der neunten Generation.
Chinesische Werke bleiben ein Schwerpunkt des Speicherwettbewerbs
Auch SK Hynix baut seine Anlage in Dalian aus und stellt von 192-lagigem NAND auf Chips mit mindestens 240 Lagen um. Beide südkoreanischen Hersteller sehen sich einem zunehmenden Wettbewerb durch Chinas Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) gegenüber.
Die parallelen Projekte zeigen, dass die Wettbewerbsreaktion sowohl die Aufrüstung der Produktionstechnologie als auch eine Steigerung der Ausbringungsmenge umfasst. Die angekündigten Lagenzahlen beschreiben die geplanten Chips, belegen für sich genommen jedoch weder Herstellungskosten noch Ausbeute oder Rentabilität.
Fazit
Der nächste genannte Meilenstein ist Samsungs Ziel, bis Dezember 2026 monatlich 5.000 Wafer in Xi’an zu produzieren. Die Fortschritte auf dem Weg zu diesem Niveau bilden den ersten Prüfpunkt vor der größeren, für Ende 2027 geplanten Erweiterung.
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