A Samsung kínai NAND-termelése technológiai fejlesztés előtt áll a 2026. október 21-én bejelentett tervek szerint. A Samsung Electronics 286 rétegű V9 NAND chipek bevezetését tervezi a hsziani üzemében, azzal a céllal, hogy 2026 decemberére havi 5 000, 2027 végére pedig 40 000 ostyára növelje a termelést.
Legfontosabb tudnivalók
- A hsziani termelési célok tervezett mérföldkövek, nem pedig már megvalósult termelésnövekedések.
- A Samsung kilencedik generációs NAND-technológiája már a kínai fejlesztés előtt létezett: tömeggyártása 2024 áprilisában indult el.
- Az SK Hynix szintén fejleszti kínai termelését, miközben mindkét vállalatnak versenyeznie kell a YMTC-vel.
Tartalomjegyzék
- A Samsung NAND-terve két termelési mérföldkövet határoz meg
- A V9 technológiának már van termelési múltja
- A kínai üzemek továbbra is a memóriapiaci verseny középpontjában állnak
- Összegzés
A Samsung NAND-terve két termelési mérföldkövet határoz meg
A hsziani projekt a fejlettebb memóriachipekre való átállást a waferek kibocsátásának fokozatos növelésével kapcsolja össze. A Samsung 2027 végi havi célkitűzése nyolcszorosa a 2026 decemberére tervezett szintnek, így a termelés felfuttatása a projekt jelentős részét képezi, nem csupán egyszeri berendezésfejlesztést jelent.
Ezek a számok a tervezett termelési szinteket jelölik. Nem bizonyítják, hogy a korszerűsített gyártósor már elérte bármelyik célt, és önmagukban a wafervolumenek sem mutatják meg, hogy a beruházás mekkora bevételt vagy nyereséget eredményez majd.
| Tétel | Részletek |
|---|---|
| Samsung, Hszian | Tervezett technológia: 286 rétegű V9 NAND. |
| SK Hynix, Dalian — jelenlegi | A meglévő technológia a leírás szerint 192 rétegű NAND. |
| SK Hynix, Dalian — fejlesztés | Tervezett technológia: legalább 240 rétegű NAND. |
A V9 technológiának már van termelési múltja
A Samsung 2024. áprilisi, kilencedik generációs V-NAND-ról szóló bejelentése adja a hsziani terv technológiai hátterét. A vállalat 2024. április 23-án jelentette be, hogy megkezdte az egyterabites, háromszintű cellás, kilencedik generációs V-NAND tömeggyártását.
A Samsung közlése szerint ez a generáció elődjéhez képest mintegy 50%-kal javította a bitsűrűséget, másodpercenként akár 3,2 gigabites adatbeviteli/-kiolvasási sebességet támogatott, és 10%-kal csökkentette az energiafogyasztást. Ezek az adatok a termékgenerációk összehasonlítására vonatkoznak, nem a hsziani fejlesztés tervezett teljesítményének mérőszámai.
A különbségtétel fontos: a 2026. októberi fejlemény a fejlett technológia egy adott gyártóhelyen történő alkalmazásáról szól, nem pedig a kilencedik generációs NAND első bevezetéséről.
A kínai üzemek továbbra is a memóriapiaci verseny középpontjában állnak
Az SK Hynix a daliani üzemét is fejleszti: a 192 rétegű NAND-ról legalább 240 rétegű chipekre áll át. Mindkét dél-koreai gyártó egyre élesebb versenyben áll a kínai Yangtze Memory Technologies Co.-val, vagyis a YMTC-vel.
A párhuzamos projektek azt mutatják, hogy a versenyre adott válasz a termelési technológia fejlesztését és a kibocsátás növelését egyaránt magában foglalja. A bejelentett rétegszámok a tervezett chipeket jellemzik, de önmagukban nem árulnak el semmit a gyártási költségekről, a kihozatali arányokról vagy a jövedelmezőségről.
Összegzés
A következő megjelölt mérföldkő a Samsung célja, hogy 2026 decemberére havi 5 000 ostyára növelje a hsziani termelést. Az erre a szintre való felfutás lesz az első ellenőrzési pont a 2027 végére tervezett nagyobb bővítés előtt.
További hírek
Jogi nyilatkozat
Ez a FinanceVelix-cikk általános tájékoztatást nyújt, nem minősül személyre szabott pénzügyi, befektetési, jogi vagy adótanácsadásnak. A piaci árak, a kamatlábak és a gazdasági körülmények változhatnak; a befektetések veszteség kockázatával járnak. A tények a közzététel időpontjában rendelkezésre álló információkat tükrözik, és változhatnak. A fontos információkat ellenőrizze önállóan, és szükség esetén forduljon képzett szakemberhez. Egy eszköz, vállalat vagy szolgáltatás említése nem jelent ajánlást.
