Sản xuất NAND của Samsung tại Trung Quốc sẽ được nâng cấp công nghệ theo kế hoạch công bố ngày 21 tháng 10 năm 2026. Samsung Electronics dự định đưa chip NAND V9 286 lớp vào sản xuất tại nhà máy Tây An, đặt mục tiêu sản lượng hàng tháng đạt 5.000 wafer vào tháng 12/2026 và 40.000 wafer vào cuối năm 2027.
Điểm chính
- Các mục tiêu sản xuất tại Tây An là những mốc dự kiến, không phải mức tăng sản lượng đã hoàn tất.
- Công nghệ NAND thế hệ thứ chín của Samsung đã có trước đợt nâng cấp tại Trung Quốc, với việc bắt đầu sản xuất hàng loạt vào tháng 4/2024.
- SK Hynix cũng đang nâng cấp sản xuất tại Trung Quốc khi cả hai công ty phải đối mặt với sự cạnh tranh từ YMTC.
Mục lục
- Kế hoạch NAND của Samsung đặt ra hai mốc sản xuất
- Công nghệ V9 có lịch sử sản xuất đã được xác lập
- Các nhà máy tại Trung Quốc vẫn là trọng tâm của cuộc cạnh tranh trong lĩnh vực bộ nhớ
- Kết luận
Kế hoạch NAND của Samsung đặt ra hai mốc sản xuất
Dự án tại Tây An kết hợp việc chuyển sang các chip bộ nhớ tiên tiến hơn với kế hoạch tăng sản lượng wafer theo từng giai đoạn. Mục tiêu sản lượng hàng tháng vào cuối năm 2027 cao gấp tám lần mức dự kiến cho tháng 12/2026, khiến việc tăng sản lượng trở thành phần đáng kể của dự án, chứ không chỉ là một đợt nâng cấp thiết bị đơn lẻ.
Các số liệu này mô tả mức sản xuất dự kiến. Chúng không xác nhận dây chuyền được nâng cấp đã đạt một trong hai mục tiêu, và riêng sản lượng wafer cũng không cho biết khoản đầu tư sẽ tạo ra bao nhiêu doanh thu hay lợi nhuận.
| Hạng mục | Chi tiết |
|---|---|
| Samsung, Tây An | Công nghệ dự kiến: NAND V9 286 lớp. |
| SK Hynix, Đại Liên — hiện tại | Công nghệ hiện có được mô tả là NAND 192 lớp. |
| SK Hynix, Đại Liên — nâng cấp | Công nghệ dự kiến: NAND có ít nhất 240 lớp. |
Công nghệ V9 có lịch sử sản xuất đã được xác lập
Thông báo tháng 4/2024 về V-NAND thế hệ thứ chín của Samsung cung cấp bối cảnh công nghệ cho kế hoạch tại Tây An. Ngày 23 tháng 4 năm 2024, công ty thông báo đã bắt đầu sản xuất hàng loạt V-NAND thế hệ thứ chín, loại ô ba mức, dung lượng một terabit.
Samsung cho biết thế hệ này cải thiện mật độ bit khoảng 50% so với thế hệ tiền nhiệm, hỗ trợ tốc độ nhập/xuất dữ liệu lên đến 3,2 gigabit mỗi giây và giảm mức tiêu thụ điện năng 10%. Đây là những so sánh giữa các thế hệ sản phẩm, không phải kết quả đo hiệu năng của đợt nâng cấp dự kiến tại Tây An.
Sự phân biệt này rất quan trọng: diễn biến tháng 10/2026 liên quan đến việc triển khai công nghệ tiên tiến tại một cơ sở sản xuất cụ thể, chứ không phải lần đầu ra mắt NAND thế hệ thứ chín.
Các nhà máy tại Trung Quốc vẫn là trọng tâm của cuộc cạnh tranh trong lĩnh vực bộ nhớ
SK Hynix cũng đang nâng cấp cơ sở tại Đại Liên, chuyển từ NAND 192 lớp sang chip có ít nhất 240 lớp. Cả hai nhà sản xuất Hàn Quốc đều phải đối mặt với sự cạnh tranh ngày càng gay gắt từ Yangtze Memory Technologies Co. của Trung Quốc, hay YMTC.
Các dự án song song cho thấy phản ứng cạnh tranh bao gồm cả nâng cấp công nghệ sản xuất lẫn tăng sản lượng. Số lớp được công bố mô tả các chip dự kiến, nhưng bản thân con số này không xác định chi phí sản xuất, tỷ lệ thành phẩm hay khả năng sinh lời.
Kết luận
Mốc tiếp theo được công bố là mục tiêu của Samsung đạt 5.000 wafer mỗi tháng tại Tây An vào tháng 12/2026. Tiến độ hướng tới mức này sẽ là điểm kiểm tra đầu tiên trước đợt mở rộng quy mô lớn hơn được lên kế hoạch vào cuối năm 2027.
Đọc thêm tin tức
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm
Bài viết FinanceVelix này cung cấp thông tin chung, không phải lời khuyên tài chính, đầu tư, pháp lý hoặc thuế dành riêng cho từng cá nhân. Giá thị trường, lãi suất và điều kiện kinh tế có thể thay đổi; các khoản đầu tư tiềm ẩn rủi ro thua lỗ. Thông tin phản ánh tài liệu có sẵn tại thời điểm xuất bản và có thể thay đổi. Hãy tự kiểm tra thông tin quan trọng và tham khảo chuyên gia có đủ năng lực khi cần. Việc đề cập đến một tài sản, công ty hoặc dịch vụ không đồng nghĩa với sự chứng thực.
