من المقرر تحديث إنتاج سامسونغ لذاكرة NAND في الصين وفقًا لخطط أُعلن عنها في 21 أكتوبر 2026. وتعتزم Samsung Electronics إدخال رقائق V9 NAND ذات 286 طبقة في مصنعها بشيآن، مستهدفةً إنتاج 5,000 رقاقة شهريًا بحلول ديسمبر 2026 و40,000 رقاقة بحلول نهاية 2027.
أهم النقاط
- أهداف الإنتاج في شيآن مراحل مخططة، وليست زيادات إنتاج تحققت بالفعل.
- تسبق تقنية NAND من الجيل التاسع لدى سامسونغ تحديث المصنع في الصين، إذ دخلت الإنتاج الضخم في أبريل 2024.
- تعمل SK Hynix أيضًا على تحديث الإنتاج في الصين، في ظل مواجهة الشركتين منافسة من YMTC.
جدول المحتويات
- خطة سامسونغ لذاكرة NAND تحدد مرحلتين للإنتاج
- تقنية V9 لها سجل إنتاج راسخ
- المصانع الصينية تظل محورًا للمنافسة في الذاكرة
- الخلاصة
خطة سامسونغ لذاكرة NAND تحدد مرحلتين للإنتاج
يجمع مشروع شيآن بين الانتقال إلى رقائق ذاكرة أكثر تقدمًا وزيادة إنتاج الرقائق على مراحل. ويعادل الهدف الشهري المقرر بلوغه بنهاية 2027 ثمانية أمثال المستوى المخطط لديسمبر 2026، ما يجعل زيادة الإنتاج جزءًا جوهريًا من المشروع، لا مجرد تحديث لمعدات مرة واحدة.
وتصف هذه الأرقام مستويات الإنتاج المستهدفة. لكنها لا تثبت أن خط الإنتاج المحدّث قد بلغ أيًا من الهدفين، كما أن أحجام إنتاج الرقائق وحدها لا تشير إلى الإيرادات أو الأرباح التي سيحققها الاستثمار.
| البند | التفاصيل |
|---|---|
| سامسونغ، شيآن | التقنية المخطط لها: ذاكرة V9 NAND ذات 286 طبقة. |
| SK Hynix، داليان — حاليًا | التقنية القائمة، الموصوفة بأنها ذاكرة NAND ذات 192 طبقة. |
| SK Hynix، داليان — التحديث | التقنية المخطط لها: ذاكرة NAND ذات 240 طبقة على الأقل. |
تقنية V9 لها سجل إنتاج راسخ
يوفر إعلان سامسونغ في أبريل 2024 عن ذاكرة V-NAND من الجيل التاسع خلفية تقنية لخطة شيآن. ففي 23 أبريل 2024، أعلنت الشركة أنها بدأت الإنتاج الضخم لذاكرة V-NAND من الجيل التاسع، بسعة تيرابت واحد وخلايا ثلاثية المستوى.
وقالت سامسونغ إن هذا الجيل حسّن كثافة البتات بنحو 50% مقارنةً بسابقه، ودعم سرعات إدخال وإخراج للبيانات تصل إلى 3.2 غيغابت في الثانية، وخفّض استهلاك الطاقة بنسبة 10%. وهذه مقارنات بين أجيال المنتجات، وليست قياسات لأداء التحديث المخطط له في شيآن.
وهذا تمييز مهم: فالتطور المعلن في أكتوبر 2026 يتعلق بتطبيق تقنية متقدمة في موقع تصنيع محدد، وليس بالإطلاق الأول لذاكرة NAND من الجيل التاسع.
المصانع الصينية تظل محورًا للمنافسة في الذاكرة
وتعمل SK Hynix أيضًا على تطوير منشأتها في داليان، بالانتقال من ذاكرة NAND ذات 192 طبقة إلى رقائق ذات 240 طبقة على الأقل. وتواجه الشركتان الكوريتان الجنوبيتان منافسة متصاعدة من شركة Yangtze Memory Technologies Co. الصينية، أو YMTC.
وتُظهر المشروعات المتوازية أن الاستجابة التنافسية تشمل تحديث تقنية الإنتاج إلى جانب زيادة حجم الإنتاج. وتصف أعداد الطبقات المعلنة الرقائق المخطط لها، لكنها لا تحدد وحدها تكاليف التصنيع أو معدلات الإنتاج السليم أو الربحية.
الخلاصة
المرحلة المقبلة المعلنة هي استهداف سامسونغ إنتاج 5,000 رقاقة شهريًا في شيآن بحلول ديسمبر 2026. وسيكون التقدم نحو هذا المستوى أول نقطة للتحقق قبل التوسع الأكبر المخطط له بنهاية 2027.
اقرأ المزيد من الأخبار
إخلاء المسؤولية
تقدم هذه المقالة من FinanceVelix معلومات عامة، ولا تُعد نصيحة مالية أو استثمارية أو قانونية أو ضريبية مخصصة. يمكن أن تتغير أسعار السوق وأسعار الفائدة والظروف الاقتصادية؛ وتنطوي الاستثمارات على مخاطر الخسارة. تعكس المعلومات الحقائق المتاحة وقت النشر وقد تتغير. تحقّق بشكل مستقل من المعلومات المهمة واستشر مختصًا مؤهلًا عند الحاجة. ولا يُعد ذكر أصل أو شركة أو خدمة تأييدًا لها.
