Производството на NAND на Samsung в Китай предстои да бъде технологично надградено съгласно планове, обявени на 21 октомври 2026 г. Samsung Electronics планира да въведе NAND чипове V9 с 286 слоя в завода си в Сиан, като целта е месечното производство да достигне 5 000 пластини до декември 2026 г. и 40 000 пластини до края на 2027 г.
Основни изводи
- Целите за производството в Сиан са планирани етапи, а не вече постигнати увеличения на производството.
- NAND технологията от девето поколение на Samsung предхожда надграждането в Китай, тъй като масовото ѝ производство започна през април 2024 г.
- SK Hynix също надгражда производството си в Китай, докато и двете компании са изправени пред конкуренция от YMTC.
Съдържание
- Планът на Samsung за NAND включва два етапа на производството
- Технологията V9 има утвърдена история на производство
- Заводите в Китай остават във фокуса на конкуренцията при паметите
- Заключение
Планът на Samsung за NAND включва два етапа на производството
Проектът в Сиан съчетава преминаване към по-усъвършенствани чипове памет с поетапно увеличаване на броя произведени пластини. Месечната цел на Samsung за края на 2027 г. е осем пъти по-висока от планираното равнище за декември 2026 г., което превръща увеличаването на производството в съществена част от проекта, а не в еднократно обновяване на оборудването.
Тези цифри описват планираните производствени равнища. Те не доказват, че модернизираната производствена линия е достигнала която и да е от двете цели, нито че обемите на пластините сами по себе си показват приходите или печалбата, които ще генерира инвестицията.
| Показател | Подробности |
|---|---|
| Samsung, Сиан | Планирана технология: NAND V9 с 286 слоя. |
| SK Hynix, Далян — текущо | Съществуващата технология е описана като NAND с 192 слоя. |
| SK Hynix, Далян — надграждане | Планирана технология: NAND с най-малко 240 слоя. |
Технологията V9 има утвърдена история на производство
Съобщението на Samsung от април 2024 г. за V-NAND от девето поколение дава технологичния контекст на плана за Сиан. На 23 април 2024 г. компанията обяви, че е започнала масово производство на своята V-NAND от девето поколение с три нива на клетка и капацитет от един терабит.
Samsung заяви, че това поколение е подобрило битовата плътност с около 50% спрямо предходното, поддържа скорости на входно-изходните операции с данни до 3,2 гигабита в секунда и е намалило потреблението на енергия с 10%. Това са сравнения между поколения продукти, а не измервания на ефективността на планираното надграждане в Сиан.
Разграничението е важно: промяната от октомври 2026 г. се отнася до внедряването на усъвършенствана технология в конкретен производствен обект, а не до първоначалното пускане на NAND от девето поколение.
Заводите в Китай остават във фокуса на конкуренцията при паметите
SK Hynix също модернизира съоръжението си в Далян, като преминава от NAND с 192 слоя към чипове с най-малко 240 слоя. И двата южнокорейски производителя са изправени пред засилваща се конкуренция от китайската Yangtze Memory Technologies Co., или YMTC.
Паралелните проекти показват, че конкурентният отговор включва както надграждане на производствената технология, така и увеличаване на обемите. Обявеният брой слоеве описва планираните чипове, но сам по себе си не установява производствените разходи, добива или рентабилността.
Заключение
Следващият обявен етап е целта на Samsung за 5 000 пластини месечно в Сиан до декември 2026 г. Напредъкът към това равнище ще бъде първата контролна точка преди по-мащабното разширяване, планирано за края на 2027 г.
Още новини
Отказ от отговорност
Тази статия на FinanceVelix предоставя обща информация, а не персонализирани финансови, инвестиционни, правни или данъчни съвети. Пазарните цени, лихвените проценти и икономическите условия могат да се променят; инвестициите носят риск от загуба. Фактите отразяват наличната към момента на публикуване информация и може да се променят. Проверявайте самостоятелно важната информация и при необходимост се консултирайте с квалифициран специалист. Споменаването на актив, компания или услуга не представлява препоръка.
