Výroba NAND společnosti Samsung v Číně má projít technologickou modernizací podle plánu oznámeného 21. října 2026. Samsung Electronics plánuje v závodě v Si-anu zavést čipy V9 NAND s 286 vrstvami a do prosince 2026 dosáhnout měsíční produkce 5 000 waferů a do konce roku 2027 pak 40 000 waferů.
Klíčové body
- Cíle produkce v Si-anu jsou plánované milníky, nikoli již uskutečněné zvýšení výroby.
- Technologie NAND deváté generace společnosti Samsung předchází modernizaci v Číně; do sériové výroby vstoupila v dubnu 2024.
- Výrobu v Číně modernizuje také SK Hynix, přičemž obě společnosti čelí konkurenci ze strany YMTC.
Obsah
- Plán Samsungu v oblasti NAND stanovuje dva výrobní milníky
- Technologie V9 má zavedenou historii výroby
- Čínské závody zůstávají středem konkurence v oblasti pamětí
- Závěr
Plán Samsungu v oblasti NAND stanovuje dva výrobní milníky
Projekt v Si-anu spojuje přechod na pokročilejší paměťové čipy s postupným navyšováním produkce waferů. Měsíční cíl Samsungu na konec roku 2027 je osmkrát vyšší než úroveň plánovaná na prosinec 2026. Navýšení výroby je tak podstatnou součástí projektu, nikoli pouze jednorázovou modernizací zařízení.
Uvedená čísla popisují zamýšlenou úroveň výroby. Nedokládají, že modernizovaná linka dosáhla některého z těchto cílů, a samotný objem waferů neukazuje, jaké tržby či zisk investice přinese.
| Položka | Podrobnosti |
|---|---|
| Samsung, Si-an | Plánovaná technologie: 286vrstvá NAND V9. |
| SK Hynix, Ta-lien — současný stav | Stávající technologie je popsána jako 192vrstvá NAND. |
| SK Hynix, Ta-lien — modernizace | Plánovaná technologie: NAND s nejméně 240 vrstvami. |
Technologie V9 má zavedenou historii výroby
Oznámení Samsungu z dubna 2024 o V-NAND deváté generace poskytuje technologický kontext plánu pro Si-an. Dne 23. dubna 2024 společnost oznámila zahájení sériové výroby své V-NAND deváté generace s kapacitou jednoho terabitu a buňkami TLC (triple-level cell).
Samsung uvedl, že tato generace zvýšila bitovou hustotu přibližně o 50 % oproti předchůdci, podporuje rychlost vstupu a výstupu dat až 3,2 gigabitu za sekundu a snížila spotřebu energie o 10 %. Jde o srovnání produktových generací, nikoli o měření výkonnosti plánované modernizace v Si-anu.
Toto rozlišení je důležité: vývoj z října 2026 se týká zavedení pokročilé technologie v konkrétním výrobním závodě, nikoli prvního uvedení NAND deváté generace.
Čínské závody zůstávají středem konkurence v oblasti pamětí
Svůj závod v Ta-lienu modernizuje také SK Hynix, který přechází od 192vrstvé NAND k čipům s nejméně 240 vrstvami. Oba jihokorejští výrobci čelí sílící konkurenci čínské společnosti Yangtze Memory Technologies Co., neboli YMTC.
Souběžné projekty ukazují, že konkurenční reakce zahrnuje jak modernizaci výrobních technologií, tak zvyšování produkce. Oznámené počty vrstev popisují plánované čipy, samy o sobě však nedokládají výrobní náklady, výtěžnost ani ziskovost.
Závěr
Nejbližším oznámeným milníkem je cíl Samsungu dosáhnout v Si-anu do prosince 2026 měsíční produkce 5 000 waferů. Pokrok směrem k této úrovni bude prvním kontrolním bodem před rozsáhlejším navýšením plánovaným do konce roku 2027.
Další zprávy
Upozornění
Tento článek FinanceVelix poskytuje obecné informace, nikoli personalizované finanční, investiční, právní nebo daňové poradenství. Tržní ceny, úrokové sazby a ekonomické podmínky se mohou měnit; investice jsou spojeny s rizikem ztráty. Uvedená fakta vycházejí z materiálů dostupných v době zveřejnění a mohou se změnit. Důležité informace si ověřte nezávisle a v případě potřeby se obraťte na kvalifikovaného odborníka. Zmínka o aktivu, společnosti nebo službě nepředstavuje doporučení.
