Η παραγωγή NAND της Samsung στην Κίνα πρόκειται να αναβαθμιστεί τεχνολογικά, σύμφωνα με σχέδια που ανακοινώθηκαν στις 21 Οκτωβρίου 2026. Η Samsung Electronics σχεδιάζει να εισαγάγει τσιπ NAND V9 286 στρωμάτων στο εργοστάσιό της στη Σιάν, με στόχο μηνιαία παραγωγή 5.000 wafers έως τον Δεκέμβριο του 2026 και 40.000 wafers έως το τέλος του 2027.
Βασικά σημεία
- Οι στόχοι παραγωγής στη Σιάν είναι προγραμματισμένα ορόσημα και όχι ήδη επιτευχθείσες αυξήσεις της παραγωγής.
- Η τεχνολογία NAND ένατης γενιάς της Samsung προϋπάρχει της αναβάθμισης στην Κίνα, καθώς τέθηκε σε μαζική παραγωγή τον Απρίλιο του 2024.
- Η SK Hynix αναβαθμίζει επίσης την παραγωγή της στην Κίνα, καθώς και οι δύο εταιρείες αντιμετωπίζουν ανταγωνισμό από την YMTC.
Πίνακας περιεχομένων
- Το σχέδιο NAND της Samsung προβλέπει δύο ορόσημα παραγωγής
- Η τεχνολογία V9 έχει ήδη καθιερωμένο ιστορικό παραγωγής
- Τα εργοστάσια στην Κίνα παραμένουν στο επίκεντρο του ανταγωνισμού στις μνήμες
- Συμπέρασμα
Το σχέδιο NAND της Samsung προβλέπει δύο ορόσημα παραγωγής
Το έργο στη Σιάν συνδυάζει τη μετάβαση σε πιο προηγμένα τσιπ μνήμης με τη σταδιακή αύξηση της παραγωγής wafers. Ο μηνιαίος στόχος της Samsung για το τέλος του 2027 είναι οκταπλάσιος από το επίπεδο που προβλέπεται για τον Δεκέμβριο του 2026, καθιστώντας την αύξηση της παραγωγής σημαντικό μέρος του έργου και όχι μια μεμονωμένη αναβάθμιση εξοπλισμού.
Οι αριθμοί αυτοί περιγράφουν τα επιδιωκόμενα επίπεδα παραγωγής. Δεν αποδεικνύουν ότι η αναβαθμισμένη γραμμή έχει φτάσει σε κάποιον από τους δύο στόχους, ενώ ο όγκος των wafers από μόνος του δεν υποδεικνύει τα έσοδα ή τα κέρδη που θα αποφέρει η επένδυση.
| Στοιχείο | Λεπτομέρειες |
|---|---|
| Samsung, Σιάν | Προγραμματισμένη τεχνολογία: NAND V9 286 στρωμάτων. |
| SK Hynix, Νταλιάν — τρέχουσα τεχνολογία | Υφιστάμενη τεχνολογία που περιγράφεται ως NAND 192 στρωμάτων. |
| SK Hynix, Νταλιάν — αναβάθμιση | Προγραμματισμένη τεχνολογία: NAND με τουλάχιστον 240 στρώματα. |
Η τεχνολογία V9 έχει ήδη καθιερωμένο ιστορικό παραγωγής
Η ανακοίνωση της Samsung τον Απρίλιο του 2024 για την ένατη γενιά V-NAND παρέχει το τεχνολογικό υπόβαθρο για το σχέδιο στη Σιάν. Στις 23 Απριλίου 2024, η εταιρεία ανακοίνωσε ότι είχε ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της V-NAND ένατης γενιάς, ενός terabit και τριών επιπέδων κελιών.
Η Samsung δήλωσε ότι η συγκεκριμένη γενιά βελτίωσε την πυκνότητα bit κατά περίπου 50% σε σύγκριση με την προηγούμενη, υποστήριξε ταχύτητες εισόδου/εξόδου δεδομένων έως 3,2 gigabit ανά δευτερόλεπτο και μείωσε την κατανάλωση ενέργειας κατά 10%. Πρόκειται για συγκρίσεις μεταξύ γενεών προϊόντων και όχι για μετρήσεις της απόδοσης της προγραμματισμένης αναβάθμισης στη Σιάν.
Η διάκριση έχει σημασία: η εξέλιξη του Οκτωβρίου του 2026 αφορά την ανάπτυξη προηγμένης τεχνολογίας σε συγκεκριμένη μονάδα παραγωγής και όχι την πρώτη κυκλοφορία NAND ένατης γενιάς.
Τα εργοστάσια στην Κίνα παραμένουν στο επίκεντρο του ανταγωνισμού στις μνήμες
Η SK Hynix αναβαθμίζει επίσης τις εγκαταστάσεις της στο Νταλιάν, περνώντας από NAND 192 στρωμάτων σε τσιπ με τουλάχιστον 240 στρώματα. Και οι δύο νοτιοκορεατικές εταιρείες αντιμετωπίζουν εντεινόμενο ανταγωνισμό από την κινεζική Yangtze Memory Technologies Co., ή YMTC.
Τα παράλληλα έργα δείχνουν ότι η ανταγωνιστική αντίδραση περιλαμβάνει τόσο την αναβάθμιση της τεχνολογίας παραγωγής όσο και την αύξηση της παραγωγής. Οι ανακοινωθέντες αριθμοί στρωμάτων περιγράφουν τα προγραμματισμένα τσιπ, αλλά δεν προσδιορίζουν από μόνοι τους το κόστος παραγωγής, τις αποδόσεις ή την κερδοφορία.
Συμπέρασμα
Το επόμενο ανακοινωθέν ορόσημο είναι ο στόχος της Samsung για 5.000 wafers τον μήνα στη Σιάν έως τον Δεκέμβριο του 2026. Η πρόοδος προς αυτό το επίπεδο θα αποτελέσει το πρώτο σημείο ελέγχου πριν από τη μεγαλύτερη επέκταση που έχει προγραμματιστεί για το τέλος του 2027.
Διαβάστε περισσότερες ειδήσεις
Περισσότερες ειδήσεις από το FinanceVelix
Αποποίηση ευθύνης
Το παρόν άρθρο του FinanceVelix παρέχει γενικές πληροφορίες και όχι εξατομικευμένες χρηματοοικονομικές, επενδυτικές, νομικές ή φορολογικές συμβουλές. Οι τιμές της αγοράς, τα επιτόκια και οι οικονομικές συνθήκες μπορούν να μεταβληθούν· οι επενδύσεις ενέχουν κίνδυνο απώλειας. Τα πραγματικά στοιχεία αντανακλούν τις πληροφορίες που ήταν διαθέσιμες κατά τη δημοσίευση και ενδέχεται να αλλάξουν. Ελέγχετε ανεξάρτητα τις σημαντικές πληροφορίες και, όταν χρειάζεται, συμβουλευτείτε έναν καταρτισμένο επαγγελματία. Η αναφορά σε περιουσιακό στοιχείο, εταιρεία ή υπηρεσία δεν συνιστά σύσταση.
