Samsungin NAND-tuotantoa Kiinassa on tarkoitus päivittää teknologisesti 21. lokakuuta 2026 julkistettujen suunnitelmien mukaisesti. Samsung Electronics aikoo ottaa Xi’anin tehtaallaan käyttöön 286-kerroksiset V9 NAND -piirit. Tavoitteena on 5 000 kiekon kuukausituotanto joulukuuhun 2026 mennessä ja 40 000 kiekkoa kuukaudessa vuoden 2027 loppuun mennessä.
Keskeiset huomiot
- Xi’anin tuotantotavoitteet ovat suunniteltuja välitavoitteita, eivät jo toteutuneita tuotannon lisäyksiä.
- Samsungin yhdeksännen sukupolven NAND-teknologia on peräisin Kiinan-päivitystä edeltävältä ajalta: sen massatuotanto alkoi huhtikuussa 2024.
- Myös SK Hynix päivittää tuotantoaan Kiinassa, kun molemmat yhtiöt kohtaavat YMTC:n kilpailun.
Sisällysluettelo
- Samsungin NAND-suunnitelmassa on kaksi tuotantovälitavoitetta
- V9-teknologialla on vakiintunut tuotantohistoria
- Kiinan tehtaat ovat edelleen muistipiirikilpailun keskiössä
- Yhteenveto
Samsungin NAND-suunnitelmassa on kaksi tuotantovälitavoitetta
Xi’anin hankkeessa yhdistyvät siirtyminen kehittyneempiin muistipiireihin ja kiekkomäärien vaiheittainen kasvattaminen. Samsungin vuoden 2027 lopulle asetettu kuukausitavoite on kahdeksankertainen joulukuulle 2026 suunniteltuun tasoon verrattuna. Tuotannon ylösajo on siten hankkeen merkittävä osa, ei kertaluonteinen laitepäivitys.
Luvut kuvaavat suunniteltuja tuotantotasoja. Ne eivät osoita, että päivitetty tuotantolinja olisi saavuttanut kummankaan tavoitteen, eikä kiekkomäärä yksin kerro, millaisia tuloja tai voittoja investointi tuottaa.
| Kohde | Tiedot |
|---|---|
| Samsung, Xi’an | Suunniteltu teknologia: 286-kerroksinen V9 NAND. |
| SK Hynix, Dalian — nykyinen | Nykyiseksi teknologiaksi kuvataan 192-kerroksinen NAND. |
| SK Hynix, Dalian — päivitys | Suunniteltu teknologia: vähintään 240-kerroksinen NAND. |
V9-teknologialla on vakiintunut tuotantohistoria
Samsungin huhtikuussa 2024 julkaisema ilmoitus yhdeksännen sukupolven V-NANDista antaa taustaa Xi’anin suunnitelmalle. Yhtiö ilmoitti 23. huhtikuuta 2024 aloittaneensa yhden terabitin, kolmitasoiseen soluun perustuvan yhdeksännen sukupolven V-NAND-muistin massatuotannon.
Samsungin mukaan kyseisen sukupolven bittitiheys parani noin 50 % edeltäjään verrattuna, tiedonsiirtonopeus oli jopa 3,2 gigabittiä sekunnissa ja virrankulutus pieneni 10 %. Nämä ovat eri tuotesukupolvien välisiä vertailuja, eivät mittauksia suunnitellun Xi’anin-päivityksen suorituskyvystä.
Ero on tärkeä: lokakuussa 2026 julkistettu kehitys koskee edistyneen teknologian käyttöönottoa tietyssä tuotantolaitoksessa, ei yhdeksännen sukupolven NANDin ensijulkistusta.
Kiinan tehtaat ovat edelleen muistipiirikilpailun keskiössä
Myös SK Hynys kehittää Dalianin tehdastaan siirtymällä 192-kerroksisesta NANDista vähintään 240-kerroksisiin piireihin. Molemmat eteläkorealaiset valmistajat kohtaavat Kiinan Yangtze Memory Technologies Co:n eli YMTC:n kiristyvän kilpailun.
Rinnakkaiset hankkeet osoittavat, että kilpailuun vastataan sekä päivittämällä tuotantoteknologiaa että kasvattamalla tuotantoa. Ilmoitetut kerrosmäärät kuvaavat suunniteltuja piirejä, mutta eivät yksin kerro valmistuskustannuksista, saannoista tai kannattavuudesta.
Yhteenveto
Seuraava ilmoitettu välitavoite on Samsungin tavoite saavuttaa Xi’anissa 5 000 kiekon kuukausituotanto joulukuuhun 2026 mennessä. Edistyminen kohti tätä tasoa on ensimmäinen tarkistuspiste ennen vuoden 2027 loppuun suunniteltua laajempaa kasvua.
Lue lisää uutisia
Vastuuvapauslauseke
Tämä FinanceVelix-artikkeli tarjoaa yleistä tietoa, ei henkilökohtaista talous-, sijoitus-, oikeudellista tai veroneuvontaa. Markkinahinnat, korot ja taloudelliset olosuhteet voivat muuttua; sijoituksiin liittyy tappioriski. Tiedot perustuvat julkaisuhetkellä saatavilla olleeseen aineistoon ja voivat muuttua. Tarkista tärkeät tiedot itsenäisesti ja pyydä tarvittaessa neuvoja pätevältä ammattilaiselta. Omaisuuserän, yhtiön tai palvelun mainitseminen ei tarkoita sen suosittelemista.
