21 अक्टूबर 2026 को घोषित योजनाओं के तहत चीन में सैमसंग का NAND उत्पादन तकनीकी अपग्रेड के लिए तैयार है। सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स की योजना शिआन स्थित अपने संयंत्र में 286-लेयर V9 NAND चिपें लगाने की है। इसका लक्ष्य दिसंबर 2026 तक हर महीने 5,000 वेफर और 2027 के अंत तक 40,000 वेफर का उत्पादन करना है।

मुख्य बातें

  • शिआन के उत्पादन लक्ष्य नियोजित पड़ाव हैं, उत्पादन में पूरी हो चुकी बढ़ोतरी नहीं।
  • सैमसंग की नौवीं पीढ़ी की NAND तकनीक चीन में अपग्रेड से पहले ही उपलब्ध थी; इसका बड़े पैमाने पर उत्पादन अप्रैल 2024 में शुरू हुआ था।
  • दोनों कंपनियों को YMTC से प्रतिस्पर्धा का सामना है और SK Hynix भी चीन में अपना उत्पादन अपग्रेड कर रही है।

विषय-सूची

सैमसंग की NAND योजना में उत्पादन के दो पड़ाव

शिआन परियोजना में अधिक उन्नत मेमोरी चिपों की ओर बढ़ने के साथ-साथ वेफर उत्पादन को चरणबद्ध ढंग से बढ़ाना शामिल है। 2027 के अंत के लिए सैमसंग का मासिक लक्ष्य दिसंबर 2026 के नियोजित स्तर का आठ गुना है। इससे उत्पादन-विस्तार परियोजना का एक बड़ा हिस्सा बनता है, न कि केवल एक बार का उपकरण अपग्रेड।

ये आंकड़े नियोजित उत्पादन स्तर दर्शाते हैं। इनसे यह साबित नहीं होता कि अपग्रेड की गई उत्पादन लाइन ने कोई भी लक्ष्य हासिल कर लिया है। केवल वेफर की मात्रा से यह भी पता नहीं चलता कि निवेश से कितना राजस्व या लाभ होगा।

मदविवरण
सैमसंग, शिआननियोजित तकनीक: 286-लेयर V9 NAND।
SK Hynix, डालियान — मौजूदामौजूदा तकनीक को 192-लेयर NAND बताया गया है।
SK Hynix, डालियान — अपग्रेडनियोजित तकनीक: कम-से-कम 240 लेयर वाली NAND।

V9 तकनीक का उत्पादन इतिहास पहले से स्थापित

सैमसंग की अप्रैल 2024 में नौवीं पीढ़ी की V-NAND की घोषणा शिआन योजना की तकनीकी पृष्ठभूमि बताती है। 23 अप्रैल 2024 को कंपनी ने घोषणा की थी कि उसने अपनी एक-टेराबिट ट्रिपल-लेवल-सेल नौवीं पीढ़ी की V-NAND का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू कर दिया है।

सैमसंग ने कहा कि इस पीढ़ी में पिछली पीढ़ी की तुलना में बिट घनत्व लगभग 50% बेहतर हुआ, डेटा इनपुट/आउटपुट गति 3.2 गीगाबिट प्रति सेकंड तक पहुंची और बिजली की खपत 10% कम हुई। ये उत्पाद-पीढ़ियों के बीच की तुलना हैं, शिआन में नियोजित अपग्रेड के प्रदर्शन के माप नहीं।

यह अंतर महत्वपूर्ण है: अक्टूबर 2026 का घटनाक्रम किसी खास विनिर्माण स्थल पर उन्नत तकनीक लागू करने से जुड़ा है, न कि नौवीं पीढ़ी की NAND की पहली शुरुआत से।

मेमोरी प्रतिस्पर्धा में चीनी संयंत्र अब भी अहम

SK Hynix भी अपने डालियान संयंत्र को उन्नत कर रही है और 192-लेयर NAND से कम-से-कम 240 लेयर वाली चिपों की ओर बढ़ रही है। दक्षिण कोरिया की दोनों कंपनियों को चीन की Yangtze Memory Technologies Co., यानी YMTC, से बढ़ती प्रतिस्पर्धा का सामना करना पड़ रहा है।

दोनों समानांतर परियोजनाएं दिखाती हैं कि प्रतिस्पर्धी जवाब में उत्पादन तकनीक का अपग्रेड और उत्पादन बढ़ाना—दोनों शामिल हैं। घोषित लेयर संख्या नियोजित चिपों का वर्णन करती है, लेकिन अपने आप में विनिर्माण लागत, उत्पादन उपज या लाभप्रदता नहीं बताती।

निष्कर्ष

अगला घोषित पड़ाव दिसंबर 2026 तक शिआन में हर महीने 5,000 वेफर का उत्पादन करने का सैमसंग का लक्ष्य है। इस स्तर तक पहुंचने की प्रगति 2027 के अंत के लिए नियोजित बड़े विस्तार से पहले पहला अहम पड़ाव होगी।

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