Produksi NAND Samsung di China akan menjalani peningkatan teknologi berdasarkan rencana yang diumumkan pada 21 Oktober 2026. Samsung Electronics berencana memperkenalkan chip NAND V9 286-layer di pabriknya di Xi’an, dengan target produksi bulanan 5.000 wafer pada Desember 2026 dan 40.000 wafer pada akhir 2027.
Hal-Hal Utama
- Target produksi di Xi’an merupakan tonggak yang direncanakan, bukan peningkatan produksi yang telah terealisasi.
- Teknologi NAND generasi kesembilan Samsung sudah ada sebelum peningkatan di China ini, setelah memasuki produksi massal pada April 2024.
- SK Hynix juga meningkatkan produksi di China karena kedua perusahaan menghadapi persaingan dari YMTC.
Daftar Isi
- Rencana NAND Samsung menetapkan dua tonggak produksi
- Teknologi V9 memiliki riwayat produksi yang mapan
- Pabrik-pabrik di China tetap menjadi fokus persaingan memori
- Kesimpulan
Rencana NAND Samsung menetapkan dua tonggak produksi
Proyek Xi’an menggabungkan peralihan ke chip memori yang lebih canggih dengan peningkatan produksi wafer secara bertahap. Target bulanan Samsung pada akhir 2027 mencapai delapan kali tingkat yang direncanakan untuk Desember 2026, sehingga peningkatan produksi menjadi bagian substansial dari proyek ini, bukan sekadar peningkatan peralatan satu kali.
Angka-angka tersebut menggambarkan tingkat produksi yang ditargetkan. Angka itu tidak membuktikan bahwa lini yang ditingkatkan telah mencapai salah satu target tersebut, dan volume wafer saja tidak menunjukkan besarnya pendapatan atau laba yang akan dihasilkan investasi ini.
| Item | Detail |
|---|---|
| Samsung, Xi’an | Teknologi yang direncanakan: NAND V9 286-layer. |
| SK Hynix, Dalian — saat ini | Teknologi yang ada disebut sebagai NAND 192-layer. |
| SK Hynix, Dalian — peningkatan | Teknologi yang direncanakan: NAND dengan setidaknya 240 layer. |
Teknologi V9 memiliki riwayat produksi yang mapan
Pengumuman V-NAND generasi kesembilan pada April 2024 dari Samsung memberikan latar belakang teknologi bagi rencana Xi’an. Pada 23 April 2024, perusahaan mengumumkan bahwa mereka telah memulai produksi massal V-NAND generasi kesembilan jenis triple-level cell berkapasitas satu terabit.
Samsung menyatakan bahwa generasi tersebut meningkatkan kepadatan bit sekitar 50% dibandingkan pendahulunya, mendukung kecepatan input/output data hingga 3,2 gigabit per detik, dan mengurangi konsumsi daya sebesar 10%. Angka-angka ini merupakan perbandingan antargenerasi produk, bukan pengukuran kinerja peningkatan yang direncanakan di Xi’an.
Perbedaan ini penting: perkembangan pada Oktober 2026 berkaitan dengan penerapan teknologi canggih di lokasi manufaktur tertentu, bukan peluncuran pertama NAND generasi kesembilan.
Pabrik-pabrik di China tetap menjadi fokus persaingan memori
SK Hynix juga meningkatkan fasilitasnya di Dalian, beralih dari NAND 192-layer ke chip dengan setidaknya 240 layer. Kedua produsen asal Korea Selatan tersebut menghadapi persaingan yang semakin ketat dari Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) asal China.
Proyek-proyek yang berjalan bersamaan ini menunjukkan bahwa respons terhadap persaingan mencakup peningkatan teknologi produksi sekaligus peningkatan output. Jumlah layer yang diumumkan menjelaskan chip yang direncanakan, tetapi tidak dengan sendirinya menunjukkan biaya manufaktur, tingkat hasil produksi, atau profitabilitas.
Kesimpulan
Tonggak berikutnya yang dinyatakan adalah target Samsung untuk memproduksi 5.000 wafer per bulan di Xi’an pada Desember 2026. Kemajuan menuju tingkat tersebut akan menjadi tolok ukur pertama sebelum ekspansi yang lebih besar direncanakan pada akhir 2027.
Baca Berita Lainnya
Penafian
Artikel FinanceVelix ini menyediakan informasi umum, bukan nasihat keuangan, investasi, hukum, atau pajak yang dipersonalisasi. Harga pasar, suku bunga, dan kondisi ekonomi dapat berubah; investasi mengandung risiko kerugian. Fakta mencerminkan materi yang tersedia saat diterbitkan dan dapat berubah. Periksa informasi penting secara independen dan konsultasikan dengan profesional berkualifikasi jika diperlukan. Penyebutan aset, perusahaan, atau layanan bukan merupakan bentuk dukungan.
