La produzione NAND di Samsung in Cina sarà interessata da un aggiornamento tecnologico nell’ambito dei piani annunciati il 21 ottobre 2026. Samsung Electronics prevede di introdurre chip NAND V9 a 286 strati nel proprio stabilimento di Xi’an, con l’obiettivo di raggiungere una produzione mensile di 5.000 wafer entro dicembre 2026 e di 40.000 wafer entro la fine del 2027.
Punti chiave
- Gli obiettivi di produzione di Xi’an sono traguardi pianificati, non aumenti della produzione già realizzati.
- La tecnologia NAND di nona generazione di Samsung precede l’aggiornamento in Cina ed è entrata in produzione di massa nell’aprile 2024.
- Anche SK Hynix sta aggiornando la produzione in Cina, mentre entrambe le aziende affrontano la concorrenza di YMTC.
Indice
- Il piano NAND di Samsung fissa due traguardi di produzione
- La tecnologia V9 vanta una storia produttiva consolidata
- Gli stabilimenti cinesi restano al centro della concorrenza nel settore delle memorie
- Conclusione
Il piano NAND di Samsung fissa due traguardi di produzione
Il progetto di Xi’an combina il passaggio a chip di memoria più avanzati con un aumento graduale della produzione di wafer. L’obiettivo mensile fissato da Samsung per la fine del 2027 è otto volte il livello previsto per dicembre 2026, rendendo l’aumento della produzione una componente sostanziale del progetto e non un semplice aggiornamento delle attrezzature.
Queste cifre descrivono i livelli di produzione previsti. Non dimostrano che la linea aggiornata abbia raggiunto uno dei due obiettivi, né i soli volumi di wafer indicano i ricavi o gli utili che l’investimento genererà.
| Voce | Dettagli |
|---|---|
| Samsung, Xi’an | Tecnologia prevista: NAND V9 a 286 strati. |
| SK Hynix, Dalian — attuale | Tecnologia esistente descritta come NAND a 192 strati. |
| SK Hynix, Dalian — aggiornamento | Tecnologia prevista: NAND con almeno 240 strati. |
La tecnologia V9 vanta una storia produttiva consolidata
L’annuncio di Samsung dell’aprile 2024 sulla V-NAND di nona generazione fornisce il contesto tecnologico del piano di Xi’an. Il 23 aprile 2024, l’azienda ha annunciato di aver avviato la produzione di massa della propria V-NAND di nona generazione, da un terabit e a triplo livello cellulare.
Samsung ha dichiarato che questa generazione ha migliorato la densità di bit di circa il 50% rispetto alla precedente, supporta velocità di ingresso/uscita dei dati fino a 3,2 gigabit al secondo e riduce il consumo energetico del 10%. Si tratta di confronti tra generazioni di prodotto, non di misurazioni delle prestazioni dell’aggiornamento pianificato a Xi’an.
La distinzione è importante: lo sviluppo dell’ottobre 2026 riguarda l’implementazione di una tecnologia avanzata in uno specifico sito produttivo, non il primo lancio della NAND di nona generazione.
Gli stabilimenti cinesi restano al centro della concorrenza nel settore delle memorie
Anche SK Hynix sta potenziando il proprio stabilimento di Dalian, passando dalla NAND a 192 strati a chip con almeno 240 strati. Entrambi i produttori sudcoreani devono affrontare la concorrenza sempre più intensa di Yangtze Memory Technologies Co. cinese, o YMTC.
I progetti paralleli mostrano che la risposta alla concorrenza prevede sia l’aggiornamento della tecnologia produttiva sia l’aumento della produzione. Il numero di strati annunciato descrive i chip previsti, ma non determina di per sé i costi di produzione, i rendimenti o la redditività.
Conclusione
Il prossimo traguardo dichiarato è l’obiettivo di Samsung di raggiungere 5.000 wafer al mese a Xi’an entro dicembre 2026. I progressi verso questo livello costituiranno il primo punto di verifica prima dell’espansione più ampia prevista per la fine del 2027.
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