2026年10月21日に発表された計画に基づき、中国でのサムスンのNAND生産設備が技術刷新される。サムスン電子は西安工場に286層のV9 NANDチップを導入し、2026年12月までに月産5,000枚、2027年末までに月産40,000枚を目指す。

要点

  • 西安工場の生産目標は計画上の節目であり、生産量の増加がすでに実現したことを示すものではない。
  • サムスンの第9世代NAND技術は中国での増強計画に先立っており、2024年4月に量産を開始している。
  • 両社がYMTCとの競争に直面するなか、SKハイニックスも中国での生産設備を増強している。

目次

サムスンのNAND計画、2つの生産目標を設定

西安プロジェクトでは、より先進的なメモリーチップへの移行と、段階的なウェハー生産の増加を組み合わせる。2027年末の月産目標は、2026年12月に計画されている水準の8倍に当たり、生産拡大は単発の設備更新ではなく、プロジェクトの大きな柱となる。

これらの数値は、目指す生産水準を示している。増強後の製造ラインがいずれかの目標に達したことを示すものではなく、ウェハーの生産量だけでは投資が生み出す売上高や利益も分からない。

項目詳細
サムスン、西安計画技術：286層V9 NAND。
SKハイニックス、大連—現行既存技術は192層NANDとされる。
SKハイニックス、大連—増強計画技術：240層以上のNAND。

V9技術には確立された生産実績がある

サムスンが2024年4月に発表した第9世代V-NANDは、西安計画の技術的背景となる。2024年4月23日、同社は1テラビットのトリプルレベルセル方式を採用した第9世代V-NANDの量産を開始したと発表した。

サムスンによると、この世代では前世代と比べてビット密度が約50%向上し、最大毎秒3.2ギガビットのデータ入出力速度に対応するとともに、消費電力を10%削減した。これらは製品世代間の比較であり、計画中の西安工場の増強による性能を測定した数値ではない。

この区別は重要だ。2026年10月の動きは、特定の製造拠点に先進技術を導入するものであり、第9世代NANDの初披露ではない。

中国工場は引き続きメモリー競争の焦点

SKハイニックスも大連工場を強化し、192層NANDから240層以上のチップへ移行する。韓国の両メーカーは、中国の長江メモリーテクノロジーズ（YMTC）との競争激化に直面している。

並行して進むこれらのプロジェクトは、競争への対応として、生産量の拡大だけでなく生産技術の更新も進められていることを示す。発表された層数は計画中のチップを表すが、それだけで製造コスト、歩留まり、収益性が明らかになるわけではない。

結論

次に掲げられている節目は、サムスンが2026年12月までに西安で月産5,000枚を目指すことだ。この水準に向けた進捗が、2027年末に予定されるより大規模な拡大に先立つ最初の確認ポイントとなる。

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