2026년 10월 21일 발표된 계획에 따라 중국 내 삼성 낸드 생산 시설의 기술 업그레이드가 추진된다. 삼성전자는 시안 공장에 286단 V9 낸드 칩을 도입해 2026년 12월까지 월 5,000장, 2027년 말까지 월 40,000장의 생산량을 목표로 하고 있다.
핵심 요점
- 시안 생산 목표는 계획된 이정표이며, 이미 달성된 생산량 증가는 아니다.
- 삼성의 9세대 낸드 기술은 중국 공장 업그레이드보다 앞서 2024년 4월 양산에 들어갔다.
- 두 회사 모두 YMTC와 경쟁하는 가운데 SK하이닉스도 중국 내 생산 시설을 업그레이드하고 있다.
목차
삼성 낸드 계획, 두 가지 생산 목표 제시
시안 프로젝트는 더 진보된 메모리 칩으로 전환하는 동시에 단계적으로 웨이퍼 생산량을 늘리는 계획이다. 2027년 말의 월간 목표치는 2026년 12월에 계획된 수준의 8배로, 이번 생산 확대가 일회성 장비 업그레이드가 아니라 프로젝트의 상당 부분을 차지한다는 점을 보여준다.
이 수치는 목표 생산 수준을 나타낸다. 업그레이드된 생산 라인이 어느 목표에 도달했다는 뜻은 아니며, 웨이퍼 생산량만으로는 투자로 창출될 매출이나 이익을 알 수 없다.
| 항목 | 세부 내용 |
|---|---|
| 삼성전자, 시안 | 계획된 기술: 286단 V9 낸드. |
| SK하이닉스, 다롄 — 현재 | 기존 기술은 192단 낸드로 설명됐다. |
| SK하이닉스, 다롄 — 업그레이드 | 계획된 기술: 240단 이상의 낸드. |
V9 기술은 이미 양산 이력을 확보
삼성전자의 2024년 4월 9세대 V낸드 발표는 시안 계획의 기술적 배경을 보여준다. 회사는 2024년 4월 23일 1테라비트 트리플레벨셀 방식의 9세대 V낸드 양산을 시작했다고 발표했다.
삼성전자는 해당 세대가 이전 세대보다 비트 밀도를 약 50% 높였고, 최대 초당 3.2기가비트의 데이터 입출력 속도를 지원하며 전력 소비를 10% 줄였다고 밝혔다. 이는 제품 세대 간 비교 수치이며, 계획 중인 시안 업그레이드의 성능을 측정한 결과는 아니다.
이 구분이 중요한 이유는 2026년 10월의 발표가 9세대 낸드의 최초 출시가 아니라, 특정 제조 시설에 첨단 기술을 적용하는 내용이기 때문이다.
중국 공장, 메모리 경쟁의 핵심으로 부상
SK하이닉스도 다롄 시설을 강화해 192단 낸드에서 240단 이상의 칩으로 전환하고 있다. 두 한국 제조업체는 중국의 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)와 갈수록 치열한 경쟁을 벌이고 있다.
두 프로젝트가 나란히 추진되는 것은 경쟁 대응에 생산량 확대뿐 아니라 생산 기술 업그레이드도 포함된다는 점을 보여준다. 발표된 단수는 계획된 칩의 사양을 나타내지만, 그 자체만으로 제조 비용이나 수율, 수익성을 입증하지는 않는다.
결론
다음으로 제시된 이정표는 삼성전자가 2026년 12월까지 시안 공장에서 월 5,000장을 생산한다는 목표다. 이 수준을 향한 진척 상황은 2027년 말까지 계획된 더 큰 규모의 생산 확대에 앞서 확인할 첫 번째 점검 지표가 될 전망이다.
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