Samsungs NAND-produksjon i Kina skal gjennom en teknologioppgradering i henhold til planer kunngjort 21. oktober 2026. Samsung Electronics planlegger å innføre 286-lags V9 NAND-brikker ved fabrikken i Xi’an, med mål om en månedlig produksjon på 5 000 wafere innen desember 2026 og 40 000 wafere innen utgangen av 2027.
Viktigste punkter
- Produksjonsmålene for Xi’an er planlagte milepæler, ikke gjennomførte produksjonsøkninger.
- Samsungs NAND-teknologi av niende generasjon ble introdusert før oppgraderingen i Kina, med masseproduksjon fra april 2024.
- SK Hynix oppgraderer også produksjonen i Kina, samtidig som begge selskapene møter konkurranse fra YMTC.
Innholdsfortegnelse
- Samsungs NAND-plan setter to produksjonsmilepæler
- V9-teknologien har en etablert produksjonshistorikk
- Kinesiske fabrikker er fortsatt et viktig fokus i minnekonkurransen
- Konklusjon
Samsungs NAND-plan setter to produksjonsmilepæler
Xi’an-prosjektet kombinerer overgang til mer avanserte minnebrikker med en trinnvis økning i waferproduksjonen. Samsungs månedlige mål ved utgangen av 2027 er åtte ganger nivået som er planlagt for desember 2026. Dermed utgjør produksjonsopptrappingen en betydelig del av prosjektet, ikke bare en engangsoppgradering av utstyr.
Tallene beskriver planlagte produksjonsnivåer. De fastslår ikke at den oppgraderte produksjonslinjen har nådd noen av målene, og wafer-volum alene sier heller ikke noe om inntektene eller overskuddet investeringen vil gi.
| Element | Detaljer |
|---|---|
| Samsung, Xi’an | Planlagt teknologi: 286-lags V9 NAND. |
| SK Hynix, Dalian — nåværende | Eksisterende teknologi beskrevet som 192-lags NAND. |
| SK Hynix, Dalian — oppgradering | Planlagt teknologi: NAND med minst 240 lag. |
V9-teknologien har en etablert produksjonshistorikk
Samsungs kunngjøring av V-NAND av niende generasjon i april 2024 gir den teknologiske bakgrunnen for Xi’an-planen. 23. april 2024 kunngjorde selskapet at det hadde startet masseproduksjon av sin V-NAND av niende generasjon, med én terabit og trippelnivåceller.
Samsung opplyste at denne generasjonen hadde om lag 50 % høyere bittetthet enn forgjengeren, støttet data inn- og ut-hastigheter på opptil 3,2 gigabit per sekund og reduserte strømforbruket med 10 %. Dette er sammenligninger mellom produktgenerasjoner, ikke målinger av ytelsen til den planlagte oppgraderingen i Xi’an.
Skillet er viktig: Utviklingen i oktober 2026 gjelder innføring av avansert teknologi ved et bestemt produksjonsanlegg, ikke den første lanseringen av NAND av niende generasjon.
Kinesiske fabrikker er fortsatt et viktig fokus i minnekonkurransen
SK Hynix oppgraderer også anlegget i Dalian, fra 192-lags NAND til brikker med minst 240 lag. Begge de sørkoreanske produsentene møter økende konkurranse fra Kinas Yangtze Memory Technologies Co., eller YMTC.
De parallelle prosjektene viser at konkurranseresponsen omfatter både oppgradering av produksjonsteknologien og økt produksjon. De kunngjorte lagantallene beskriver de planlagte brikkene, men fastslår ikke i seg selv produksjonskostnader, utbytte eller lønnsomhet.
Konklusjon
Den neste oppgitte milepælen er Samsungs mål om 5 000 wafere i måneden ved Xi’an innen desember 2026. Framdriften mot dette nivået blir den første kontrollposten før den større utvidelsen som er planlagt innen utgangen av 2027.
Les flere nyheter
Flere nyheter fra FinanceVelix
Ansvarsfraskrivelse
Denne artikkelen fra FinanceVelix gir generell informasjon, ikke personlig tilpasset finansiell, investeringsmessig, juridisk eller skattemessig rådgivning. Markedspriser, renter og økonomiske forhold kan endre seg; investeringer innebærer risiko for tap. Fakta gjenspeiler informasjonen som var tilgjengelig da artikkelen ble publisert, og kan endres. Kontroller viktig informasjon uavhengig, og rådfør deg med en kvalifisert fagperson ved behov. Omtale av en eiendel, et selskap eller en tjeneste innebærer ikke en anbefaling.
