Produkcja NAND Samsunga w Chinach ma zostać objęta modernizacją technologiczną zgodnie z planami ogłoszonymi 21 października 2026 r. Samsung Electronics planuje wprowadzić w zakładzie w Xi’an układy NAND V9 z 286 warstwami, zakładając osiągnięcie miesięcznej produkcji na poziomie 5 000 wafli do grudnia 2026 r. i 40 000 wafli do końca 2027 r.

Najważniejsze informacje

  • Założone cele produkcyjne dla zakładu w Xi’an to planowane etapy, a nie zrealizowane zwiększenie produkcji.
  • Technologia NAND dziewiątej generacji Samsunga pojawiła się przed modernizacją w Chinach — masową produkcję rozpoczęto w kwietniu 2024 r.
  • SK Hynix również modernizuje produkcję w Chinach, a obie firmy mierzą się z konkurencją ze strony YMTC.

Spis treści

Plan Samsunga dotyczący NAND zakłada dwa etapy zwiększenia produkcji

Projekt w Xi’an łączy przejście na bardziej zaawansowane układy pamięci z etapowym zwiększaniem produkcji wafli. Miesięczny cel Samsunga na koniec 2027 r. jest ośmiokrotnie wyższy od poziomu planowanego na grudzień 2026 r., co sprawia, że zwiększenie produkcji stanowi istotną część projektu, a nie jedynie jednorazową modernizację sprzętu.

Podane wartości określają planowane poziomy produkcji. Nie potwierdzają, że zmodernizowana linia osiągnęła którykolwiek z tych celów. Sama liczba wafli nie wskazuje też, jakie przychody ani zyski przyniesie inwestycja.

PozycjaSzczegóły
Samsung, Xi’anPlanowana technologia: NAND V9 z 286 warstwami.
SK Hynix, Dalian — obecnieObecnie stosowana technologia opisana jako NAND z 192 warstwami.
SK Hynix, Dalian — modernizacjaPlanowana technologia: NAND z co najmniej 240 warstwami.

Technologia V9 ma ugruntowaną historię produkcji

Ogłoszenie Samsunga z kwietnia 2024 r. dotyczące pamięci V-NAND dziewiątej generacji przedstawia kontekst technologiczny planów dla Xi’an. 23 kwietnia 2024 r. firma poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji jedn terabitowej pamięci V-NAND dziewiątej generacji, wykorzystującej komórki trójpoziomowe.

Samsung poinformował, że w porównaniu z poprzednią generacją rozwiązanie to zwiększyło gęstość bitową o około 50%, zapewniało szybkość wejścia/wyjścia danych do 3,2 gigabita na sekundę i zmniejszało zużycie energii o 10%. Są to porównania między generacjami produktów, a nie pomiary wydajności planowanej modernizacji w Xi’an.

To rozróżnienie ma znaczenie: zmiana z października 2026 r. dotyczy wdrożenia zaawansowanej technologii w konkretnym zakładzie produkcyjnym, a nie pierwszego wprowadzenia NAND dziewiątej generacji.

Chińskie zakłady pozostają ważnym obszarem konkurencji na rynku pamięci

SK Hynix również modernizuje swój zakład w Dalian, przechodząc od NAND z 192 warstwami do układów z co najmniej 240 warstwami. Obaj południowokoreańscy producenci mierzą się z nasilającą się konkurencją ze strony chińskiej firmy Yangtze Memory Technologies Co., czyli YMTC.

Równoległe projekty pokazują, że reakcja na konkurencję obejmuje zarówno modernizację technologii produkcji, jak i zwiększanie produkcji. Podane liczby warstw opisują planowane układy, ale same w sobie nie określają kosztów produkcji, uzysku ani rentowności.

Podsumowanie

Kolejnym wskazanym etapem jest osiągnięcie przez Samsunga celu 5 000 wafli miesięcznie w zakładzie w Xi’an do grudnia 2026 r. Postępy w realizacji tego założenia będą pierwszym punktem kontrolnym przed większą rozbudową planowaną do końca 2027 r.

Więcej wiadomości

Więcej wiadomości FinanceVelix

Zastrzeżenie

Ten artykuł FinanceVelix zawiera ogólne informacje i nie stanowi spersonalizowanej porady finansowej, inwestycyjnej, prawnej ani podatkowej. Ceny rynkowe, stopy procentowe i warunki gospodarcze mogą się zmieniać; inwestycje wiążą się z ryzykiem straty. Fakty odzwierciedlają informacje dostępne w chwili publikacji i mogą ulec zmianie. Ważne informacje należy niezależnie zweryfikować, a w razie potrzeby skonsultować się z wykwalifikowanym specjalistą. Wzmianka o aktywach, firmie lub usłudze nie stanowi rekomendacji.