Samsung ska uppgradera NAND-produktionen i Kina enligt planer som tillkännagavs den 21 oktober 2026. Samsung Electronics planerar att införa V9 NAND-chip med 286 lager vid fabriken i Xi’an, med målet att nå en månadsproduktion på 5 000 wafers i december 2026 och 40 000 wafers i slutet av 2027.
Viktiga punkter
- Produktionsmålen för Xi’an är planerade delmål, inte redan genomförda produktionsökningar.
- Samsungs NAND-teknik av nionde generationen föregår uppgraderingen i Kina och gick in i massproduktion i april 2024.
- SK Hynix uppgraderar också produktionen i Kina, samtidigt som båda företagen möter konkurrens från YMTC.
Innehåll
- Samsungs NAND-plan anger två produktionsmål
- V9-tekniken har en etablerad produktionshistorik
- Fabriker i Kina står fortsatt i fokus för minneskonkurrensen
- Slutsats
Samsungs NAND-plan anger två produktionsmål
Xi’an-projektet kombinerar en övergång till mer avancerade minneschip med en stegvis ökning av waferproduktionen. Samsungs mål för månadsproduktionen i slutet av 2027 är åtta gånger högre än nivån som planeras för december 2026, vilket gör produktionsökningen till en betydande del av projektet snarare än en engångsuppgradering av utrustningen.
Siffrorna beskriver avsedda produktionsnivåer. De visar inte att den uppgraderade produktionslinjen har nått något av målen, och wafer volymer i sig säger inget om vilka intäkter eller vilken vinst investeringen kommer att generera.
| Post | Detaljer |
|---|---|
| Samsung, Xi’an | Planerad teknik: V9 NAND med 286 lager. |
| SK Hynix, Dalian – nuvarande | Befintlig teknik beskrivs som NAND med 192 lager. |
| SK Hynix, Dalian – uppgradering | Planerad teknik: NAND med minst 240 lager. |
V9-tekniken har en etablerad produktionshistorik
Samsungs tillkännagivande i april 2024 om V-NAND av nionde generationen ger teknisk bakgrund till Xi’an-planen. Den 23 april 2024 meddelade företaget att det hade inlett massproduktion av sin V-NAND av nionde generationen med en terabit och celler med tre nivåer (TLC).
Samsung uppgav att generationen förbättrade bittätheten med cirka 50 % jämfört med föregångaren, stödde dataöverföringshastigheter på upp till 3,2 gigabit per sekund och minskade strömförbrukningen med 10 %. Det här är jämförelser mellan produktgenerationer, inte mätningar av prestandan hos den planerade uppgraderingen i Xi’an.
Skillnaden är viktig: utvecklingen i oktober 2026 handlar om att införa avancerad teknik vid en viss tillverkningsanläggning, inte om den första lanseringen av NAND av nionde generationen.
Fabriker i Kina står fortsatt i fokus för minneskonkurrensen
SK Hynix uppgraderar också sin anläggning i Dalian genom att gå från NAND med 192 lager till chip med minst 240 lager. Båda de sydkoreanska tillverkarna möter hårdnande konkurrens från kinesiska Yangtze Memory Technologies Co., eller YMTC.
De parallella projekten visar att konkurrenssvaret omfattar såväl uppgradering av produktionsteknik som ökad produktion. De tillkännagivna lagrenivåerna beskriver de planerade chipen, men fastställer inte i sig tillverkningskostnader, utbyte eller lönsamhet.
Slutsats
Nästa angivna delmål är Samsungs mål att nå 5 000 wafers i månaden i Xi’an senast i december 2026. Framstegen mot den nivån blir den första kontrollpunkten före den större expansion som planeras till slutet av 2027.
Läs fler nyheter
Fler nyheter från FinanceVelix
Ansvarsfriskrivning
Den här artikeln från FinanceVelix innehåller allmän information och utgör inte personlig finansiell, investeringsrelaterad, juridisk eller skattemässig rådgivning. Marknadspriser, räntor och ekonomiska förhållanden kan förändras; investeringar innebär risk för förlust. Uppgifterna återspeglar det tillgängliga underlaget vid publiceringstillfället och kan ändras. Kontrollera viktig information självständigt och rådfråga vid behov en kvalificerad fackperson. Att en tillgång, ett företag eller en tjänst nämns innebär inte att den rekommenderas.
