การผลิต NAND ของ Samsung ในจีนเตรียมเข้าสู่การอัปเกรดเทคโนโลยีตามแผนที่ประกาศเมื่อวันที่ 21 ตุลาคม 2026 Samsung Electronics วางแผนนำชิป NAND V9 แบบ 286 เลเยอร์มาใช้ที่โรงงานซีอาน โดยตั้งเป้าผลิตเวเฟอร์ 5,000 แผ่นต่อเดือนภายในเดือนธันวาคม 2026 และ 40,000 แผ่นต่อเดือนภายในสิ้นปี 2027

ประเด็นสำคัญ

  • เป้าหมายการผลิตที่ซีอานเป็นหมุดหมายตามแผน ไม่ใช่การเพิ่มผลผลิตที่เกิดขึ้นแล้ว
  • เทคโนโลยี NAND เจเนอเรชันที่ 9 ของ Samsung มีประวัติการผลิตมาก่อนการอัปเกรดในจีน โดยเริ่มผลิตจำนวนมากในเดือนเมษายน 2024
  • SK Hynix ก็กำลังอัปเกรดการผลิตในจีนเช่นกัน ขณะที่ทั้งสองบริษัทเผชิญการแข่งขันจาก YMTC

สารบัญ

แผน NAND ของ Samsung กำหนดหมุดหมายการผลิตสองระดับ

โครงการซีอานผสานการเปลี่ยนไปใช้ชิปหน่วยความจำที่ล้ำหน้าขึ้นเข้ากับการเพิ่มปริมาณการผลิตเวเฟอร์เป็นขั้น ๆ เป้าหมายรายเดือน ณ สิ้นปี 2027 ของ Samsung สูงกว่าระดับที่วางแผนไว้สำหรับเดือนธันวาคม 2026 ถึงแปดเท่า ทำให้การเพิ่มกำลังการผลิตเป็นส่วนสำคัญของโครงการ ไม่ใช่เพียงการอัปเกรดอุปกรณ์ครั้งเดียว

ตัวเลขเหล่านี้ระบุระดับการผลิตที่ตั้งใจไว้ ไม่ได้ยืนยันว่าไลน์การผลิตที่อัปเกรดแล้วทำได้ถึงเป้าหมายใดเป้าหมายหนึ่ง และปริมาณเวเฟอร์เพียงอย่างเดียวก็ไม่ได้บ่งชี้รายได้หรือกำไรที่การลงทุนจะสร้างขึ้น

รายการรายละเอียด
Samsung, ซีอานเทคโนโลยีที่วางแผนไว้: NAND V9 แบบ 286 เลเยอร์
SK Hynix, ต้าเหลียน — ปัจจุบันเทคโนโลยีที่ใช้อยู่ ซึ่งระบุว่าเป็น NAND แบบ 192 เลเยอร์
SK Hynix, ต้าเหลียน — แผนอัปเกรดเทคโนโลยีที่วางแผนไว้: NAND อย่างน้อย 240 เลเยอร์

เทคโนโลยี V9 มีประวัติการผลิตมาแล้ว

ประกาศ V-NAND เจเนอเรชันที่ 9 ของ Samsung ในเดือนเมษายน 2024 เป็นข้อมูลพื้นฐานด้านเทคโนโลยีของแผนซีอาน เมื่อวันที่ 23 เมษายน 2024 บริษัทประกาศว่าได้เริ่มผลิต V-NAND เจเนอเรชันที่ 9 แบบเซลล์สามระดับ ความจุหนึ่งเทราบิตในเชิงพาณิชย์แล้ว

Samsung ระบุว่าเจเนอเรชันดังกล่าวเพิ่มความหนาแน่นของบิตประมาณ 50% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า รองรับความเร็วในการรับส่งข้อมูลสูงสุด 3.2 กิกะบิตต่อวินาที และลดการใช้พลังงานลง 10% ตัวเลขเหล่านี้เป็นการเปรียบเทียบระหว่างผลิตภัณฑ์คนละเจเนอเรชัน ไม่ใช่ผลการวัดประสิทธิภาพของการอัปเกรดที่ซีอานตามแผน

ความแตกต่างนี้มีความสำคัญ กล่าวคือ พัฒนาการในเดือนตุลาคม 2026 เกี่ยวข้องกับการนำเทคโนโลยีขั้นสูงไปใช้ที่โรงงานผลิตแห่งหนึ่งโดยเฉพาะ ไม่ใช่การเปิดตัว NAND เจเนอเรชันที่ 9 เป็นครั้งแรก

โรงงานในจีนยังเป็นจุดสนใจของการแข่งขันในตลาดหน่วยความจำ

SK Hynix ก็กำลังยกระดับโรงงานในต้าเหลียน โดยเปลี่ยนจาก NAND แบบ 192 เลเยอร์ไปเป็นชิปที่มีอย่างน้อย 240 เลเยอร์ ผู้ผลิตทั้งสองรายจากเกาหลีใต้เผชิญการแข่งขันที่เข้มข้นขึ้นจาก Yangtze Memory Technologies Co. ของจีน หรือ YMTC

โครงการที่ดำเนินควบคู่กันแสดงให้เห็นว่าการตอบสนองต่อการแข่งขันครอบคลุมทั้งการยกระดับเทคโนโลยีการผลิตและการเพิ่มผลผลิต จำนวนเลเยอร์ที่ประกาศไว้เป็นรายละเอียดของชิปตามแผน แต่ไม่ได้ยืนยันต้นทุนการผลิต อัตราผลผลิต หรือความสามารถในการทำกำไรด้วยตัวมันเอง

บทสรุป

หมุดหมายถัดไปที่ระบุไว้คือเป้าหมายของ Samsung ที่จะผลิตเวเฟอร์ 5,000 แผ่นต่อเดือนที่ซีอานภายในเดือนธันวาคม 2026 ความคืบหน้าไปสู่ระดับดังกล่าวจะเป็นจุดตรวจสอบแรกก่อนการขยายกำลังการผลิตครั้งใหญ่ขึ้นซึ่งวางแผนไว้ในช่วงสิ้นปี 2027

อ่านข่าวเพิ่มเติม

ข่าวเพิ่มเติมจาก FinanceVelix

ข้อสงวนสิทธิ์

บทความนี้จาก FinanceVelix ให้ข้อมูลทั่วไป ไม่ใช่คำแนะนำทางการเงิน การลงทุน กฎหมาย หรือภาษีที่ปรับให้เหมาะกับบุคคลโดยเฉพาะ ราคาตลาด อัตราดอกเบี้ย และภาวะเศรษฐกิจอาจเปลี่ยนแปลงได้ การลงทุนมีความเสี่ยงที่จะขาดทุน ข้อเท็จจริงอ้างอิงข้อมูลที่มีอยู่ ณ เวลาที่เผยแพร่และอาจเปลี่ยนแปลงได้ โปรดตรวจสอบข้อมูลสำคัญด้วยตนเองและปรึกษาผู้เชี่ยวชาญที่มีคุณสมบัติเหมาะสมเมื่อจำเป็น การกล่าวถึงสินทรัพย์ บริษัท หรือบริการใด ๆ ไม่ได้ถือเป็นการรับรอง