Está previsto que la producción de NAND de Samsung en China reciba una actualización tecnológica conforme a los planes anunciados el 21 de octubre de 2026. Samsung Electronics prevé introducir chips NAND V9 de 286 capas en su planta de Xi’an, con el objetivo de alcanzar una producción mensual de 5.000 obleas para diciembre de 2026 y de 40.000 obleas para finales de 2027.
Conclusiones clave
- Los objetivos de producción de Xi’an son hitos previstos, no aumentos de producción ya alcanzados.
- La tecnología NAND de novena generación de Samsung es anterior a la modernización en China: entró en producción en masa en abril de 2024.
- SK Hynix también está mejorando su producción en China, mientras ambas empresas se enfrentan a la competencia de YMTC.
Tabla de contenidos
- El plan de NAND de Samsung fija dos hitos de producción
- La tecnología V9 cuenta con una trayectoria de producción consolidada
- Las plantas chinas siguen siendo un foco de la competencia en memorias
- Conclusión
El plan de NAND de Samsung fija dos hitos de producción
El proyecto de Xi’an combina el paso a chips de memoria más avanzados con un aumento gradual de la producción de obleas. El objetivo mensual para finales de 2027 es ocho veces superior al nivel previsto para diciembre de 2026, por lo que la ampliación de la producción constituye una parte sustancial del proyecto y no una mera actualización puntual de equipos.
Estas cifras describen los niveles de producción previstos. No demuestran que la línea modernizada haya alcanzado ninguno de los dos objetivos, ni indican por sí solos los ingresos o beneficios que generará la inversión.
| Elemento | Detalles |
|---|---|
| Samsung, Xi’an | Tecnología prevista: NAND V9 de 286 capas. |
| SK Hynix, Dalian — actual | Tecnología existente descrita como NAND de 192 capas. |
| SK Hynix, Dalian — actualización | Tecnología prevista: NAND de al menos 240 capas. |
La tecnología V9 cuenta con una trayectoria de producción consolidada
El anuncio de Samsung de abril de 2024 sobre su V-NAND de novena generación aporta el contexto tecnológico del plan para Xi’an. El 23 de abril de 2024, la empresa anunció que había iniciado la producción en masa de su V-NAND de novena generación, de un terabit y celda de triple nivel.
Samsung afirmó que esa generación mejoró la densidad de bits en aproximadamente un 50% frente a su predecesora, permitió velocidades de entrada/salida de datos de hasta 3,2 gigabits por segundo y redujo el consumo de energía en un 10%. Estas son comparaciones entre generaciones de productos, no mediciones del rendimiento de la actualización prevista para Xi’an.
La distinción es importante: el avance de octubre de 2026 se refiere al despliegue de tecnología avanzada en una planta de fabricación concreta, no al primer lanzamiento de NAND de novena generación.
Las plantas chinas siguen siendo un foco de la competencia en memorias
SK Hynix también está modernizando sus instalaciones de Dalian, pasando de NAND de 192 capas a chips de al menos 240 capas. Ambos fabricantes surcoreanos afrontan una competencia cada vez más intensa de Yangtze Memory Technologies Co., de China, o YMTC.
Los proyectos paralelos muestran que la respuesta competitiva incluye tanto la actualización de la tecnología de producción como el aumento de la producción. El número de capas anunciado describe los chips previstos, pero no determina por sí solo los costes de fabricación, los rendimientos ni la rentabilidad.
Conclusión
El próximo hito anunciado es el objetivo de Samsung de producir 5.000 obleas al mes en Xi’an para diciembre de 2026. El avance hacia ese nivel será el primer punto de control antes de la ampliación mayor prevista para finales de 2027.
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