La production de NAND de Samsung en Chine doit bénéficier d’une modernisation technologique dans le cadre de projets annoncés le 21 octobre 2026. Samsung Electronics prévoit d’introduire des puces NAND V9 à 286 couches dans son usine de Xi’an, avec pour objectif une production mensuelle de 5 000 wafers d’ici décembre 2026 et de 40 000 wafers d’ici la fin de 2027.
Points clés à retenir
- Les objectifs de production à Xi’an sont des jalons prévus, et non des hausses de production déjà réalisées.
- La technologie NAND de neuvième génération de Samsung précède la modernisation en Chine, puisqu’elle est entrée en production de masse en avril 2024.
- SK Hynix modernise également sa production en Chine, alors que les deux entreprises sont confrontées à la concurrence de YMTC.
Sommaire
- Le plan NAND de Samsung fixe deux jalons de production
- La technologie V9 bénéficie d’un historique de production établi
- Les usines chinoises restent au cœur de la concurrence dans le secteur des mémoires
- Conclusion
Le plan NAND de Samsung fixe deux jalons de production
Le projet de Xi’an associe le passage à des puces mémoire plus avancées à une augmentation progressive de la production de wafers. L’objectif mensuel fixé par Samsung pour la fin de 2027 est huit fois supérieur au niveau prévu pour décembre 2026, ce qui fait de la montée en puissance de la production un volet important du projet, plutôt qu’une simple modernisation ponctuelle des équipements.
Ces chiffres décrivent les niveaux de production visés. Ils ne prouvent pas que la ligne modernisée a atteint l’un ou l’autre de ces objectifs, et les volumes de wafers ne suffisent pas à eux seuls à indiquer les revenus ou les bénéfices que générera l’investissement.
| Élément | Détails |
|---|---|
| Samsung, Xi’an | Technologie prévue : NAND V9 à 286 couches. |
| SK Hynix, Dalian — actuelle | Technologie existante décrite comme de la NAND à 192 couches. |
| SK Hynix, Dalian — modernisation | Technologie prévue : NAND d’au moins 240 couches. |
La technologie V9 bénéficie d’un historique de production établi
L’annonce d’avril 2024 sur la V-NAND de neuvième génération de Samsung apporte le contexte technologique du projet de Xi’an. Le 23 avril 2024, l’entreprise a annoncé avoir commencé la production de masse de sa V-NAND de neuvième génération à cellules à triple niveau, d’une capacité d’un téraoctet.
Samsung a indiqué que cette génération améliorait la densité de bits d’environ 50 % par rapport à sa devancière, prenait en charge des vitesses d’entrée/sortie des données allant jusqu’à 3,2 gigabits par seconde et réduisait la consommation d’énergie de 10 %. Il s’agit de comparaisons entre générations de produits, et non de mesures des performances de la modernisation prévue à Xi’an.
Cette distinction est importante : le projet annoncé en octobre 2026 porte sur le déploiement d’une technologie avancée dans un site de fabrication donné, et non sur le lancement initial de la NAND de neuvième génération.
Les usines chinoises restent au cœur de la concurrence dans le secteur des mémoires
SK Hynix modernise également son site de Dalian, en passant de la NAND à 192 couches à des puces d’au moins 240 couches. Les deux fabricants sud-coréens font face à une concurrence croissante de Yangtze Memory Technologies Co., en Chine, ou YMTC.
Ces projets menés en parallèle montrent que la réponse concurrentielle consiste à moderniser les technologies de production ainsi qu’à accroître la production. Les nombres de couches annoncés décrivent les puces prévues, mais ne permettent pas à eux seuls d’établir les coûts de fabrication, les rendements ou la rentabilité.
Conclusion
Le prochain jalon annoncé est l’objectif de Samsung d’atteindre 5 000 wafers par mois à Xi’an d’ici décembre 2026. Les progrès vers ce niveau constitueront le premier point de contrôle avant l’expansion plus importante prévue pour la fin de 2027.
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