A produção de NAND da Samsung na China deverá passar por uma atualização tecnológica, segundo planos anunciados em 21 de outubro de 2026. A Samsung Electronics planeja introduzir chips NAND V9 de 286 camadas em sua fábrica de Xi’an, com a meta de produzir 5.000 wafers por mês até dezembro de 2026 e 40.000 wafers por mês até o fim de 2027.
Principais pontos
- As metas de produção em Xi’an são marcos planejados, não aumentos de produção já realizados.
- A tecnologia NAND de nona geração da Samsung antecede a atualização na China, tendo entrado em produção em massa em abril de 2024.
- A SK Hynix também está atualizando a produção na China, enquanto as duas empresas enfrentam a concorrência da YMTC.
Sumário
- Plano de NAND da Samsung estabelece dois marcos de produção
- A tecnologia V9 tem histórico de produção consolidado
- Fábricas chinesas continuam no centro da concorrência no setor de memória
- Conclusão
Plano de NAND da Samsung estabelece dois marcos de produção
O projeto de Xi’an combina a adoção de chips de memória mais avançados com um aumento gradual da produção de wafers. A meta mensal para o fim de 2027 é oito vezes superior ao nível planejado para dezembro de 2026, tornando a expansão da produção uma parte substancial do projeto, e não apenas uma atualização pontual de equipamentos.
Esses números representam níveis de produção pretendidos. Eles não confirmam que a linha atualizada tenha atingido qualquer uma das metas, e os volumes de wafers, por si só, não indicam a receita ou o lucro que o investimento gerará.
| Item | Detalhes |
|---|---|
| Samsung, Xi’an | Tecnologia planejada: NAND V9 de 286 camadas. |
| SK Hynix, Dalian — atual | Tecnologia existente descrita como NAND de 192 camadas. |
| SK Hynix, Dalian — atualização | Tecnologia planejada: NAND com pelo menos 240 camadas. |
A tecnologia V9 tem histórico de produção consolidado
O anúncio da Samsung, em abril de 2024, sobre sua V-NAND de nona geração fornece o contexto tecnológico para o plano de Xi’an. Em 23 de abril de 2024, a empresa anunciou que havia iniciado a produção em massa de sua V-NAND de nona geração, de um terabit e célula de triplo nível.
A Samsung afirmou que essa geração aumentou a densidade de bits em cerca de 50% em comparação com a anterior, permitiu velocidades de entrada e saída de dados de até 3,2 gigabits por segundo e reduziu o consumo de energia em 10%. Essas comparações referem-se às gerações de produtos, não a medições do desempenho da atualização planejada para Xi’an.
Essa distinção é importante: o desenvolvimento anunciado em outubro de 2026 diz respeito à implantação de tecnologia avançada em uma unidade fabril específica, e não ao lançamento inicial da NAND de nona geração.
Fábricas chinesas continuam no centro da concorrência no setor de memória
A SK Hynix também está modernizando sua unidade de Dalian, passando da NAND de 192 camadas para chips com pelo menos 240 camadas. As duas fabricantes sul-coreanas enfrentam uma concorrência cada vez mais intensa da chinesa Yangtze Memory Technologies Co., ou YMTC.
Os projetos paralelos mostram que a resposta à concorrência envolve tanto a atualização da tecnologia de produção quanto o aumento da produção. As contagens de camadas anunciadas descrevem os chips planejados, mas, por si só, não determinam os custos de fabricação, os rendimentos ou a lucratividade.
Conclusão
O próximo marco divulgado é a meta da Samsung de produzir 5.000 wafers por mês em Xi’an até dezembro de 2026. O avanço rumo a esse nível será o primeiro ponto de verificação antes da expansão mais ampla planejada para o fim de 2027.
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