Samsung планирует технологическую модернизацию производства NAND в Китае, о которой компания объявила 21 октября 2026 года. Samsung Electronics намерена внедрить на своем заводе в Сиане 286-слойные чипы V9 NAND, нацелившись на ежемесячный выпуск 5 000 пластин к декабрю 2026 года и 40 000 пластин к концу 2027 года.

Ключевые выводы

  • Целевые показатели производства в Сиане — это запланированные этапы, а не уже достигнутый рост выпуска.
  • Технология NAND девятого поколения Samsung появилась раньше модернизации в Китае: ее массовое производство началось в апреле 2024 года.
  • SK Hynix также модернизирует производство в Китае, поскольку обе компании сталкиваются с конкуренцией со стороны YMTC.

Содержание

План Samsung по NAND предусматривает два этапа наращивания производства

Проект в Сиане объединяет переход на более совершенные чипы памяти с поэтапным увеличением выпуска пластин. Целевой ежемесячный объем производства к концу 2027 года в восемь раз превышает запланированный показатель на декабрь 2026 года, поэтому масштабирование производства является существенной частью проекта, а не разовой модернизацией оборудования.

Эти цифры отражают планируемые уровни производства. Они не подтверждают, что модернизированная линия уже достигла хотя бы одного из целевых показателей; кроме того, объем выпуска пластин сам по себе не показывает, какую выручку или прибыль принесут инвестиции.

ПунктПодробности
Samsung, СианьПланируемая технология: 286-слойная V9 NAND.
SK Hynix, Далянь — текущая технологияДействующая технология описывается как 192-слойная NAND.
SK Hynix, Далянь — модернизацияПланируемая технология: NAND как минимум с 240 слоями.

У технологии V9 уже есть история массового производства

Анонс Samsung от апреля 2024 года о V-NAND девятого поколения дает представление о технологической основе плана для Сианя. 23 апреля 2024 года компания сообщила, что начала массовое производство своей V-NAND девятого поколения с трехуровневой ячейкой и емкостью один терабит.

По заявлению Samsung, по сравнению с предшественником в этом поколении плотность битов выросла примерно на 50%, скорость ввода-вывода данных достигла 3,2 гигабита в секунду, а энергопотребление снизилось на 10%. Это показатели сравнения поколений продукции, а не результаты измерения производительности запланированной модернизации в Сиане.

Это различие важно: объявленная в октябре 2026 года инициатива предусматривает внедрение передовой технологии на конкретном производственном объекте, а не первый запуск NAND девятого поколения.

Китайские заводы остаются в центре конкуренции на рынке памяти

SK Hynix также модернизирует свой завод в Даляне, переходя от 192-слойной NAND к чипам как минимум с 240 слоями. Оба южнокорейских производителя сталкиваются с усиливающейся конкуренцией со стороны китайской Yangtze Memory Technologies Co., или YMTC.

Параллельные проекты показывают, что конкурентная реакция включает как модернизацию производственных технологий, так и увеличение выпуска. Объявленные показатели числа слоев описывают планируемые чипы, но сами по себе не определяют производственные затраты, выход годной продукции или рентабельность.

Заключение

Следующий заявленный этап — целевой показатель Samsung в 5 000 пластин в месяц на заводе в Сиане к декабрю 2026 года. Достижение этого уровня станет первой контрольной точкой перед более масштабным расширением, запланированным на конец 2027 года.

Читайте также

Другие новости FinanceVelix

Отказ от ответственности

Эта статья FinanceVelix содержит общую информацию и не является персональной финансовой, инвестиционной, юридической или налоговой консультацией. Рыночные цены, процентные ставки и экономические условия могут меняться; инвестиции сопряжены с риском убытков. Факты отражают информацию, доступную на момент публикации, и могут измениться. Самостоятельно проверяйте важную информацию и при необходимости консультируйтесь с квалифицированным специалистом. Упоминание актива, компании или услуги не является рекомендацией.