Výroba NAND spoločnosti Samsung v Číne má prejsť technologickou modernizáciou podľa plánov oznámených 21. októbra 2026. Samsung Electronics plánuje zaviesť v závode v Si-ane čipy NAND V9 s 286 vrstvami, pričom cieľom je dosiahnuť mesačnú produkciu 5 000 wafrov do decembra 2026 a 40 000 wafrov do konca roka 2027.
Kľúčové zistenia
- Plánované výrobné ciele v Si-ane sú míľniky, nie už dosiahnuté zvýšenia produkcie.
- Technológia NAND deviatej generácie od Samsungu predchádza modernizácii v Číne; hromadná výroba sa začala v apríli 2024.
- Výrobu v Číne modernizuje aj SK Hynix, keďže obe spoločnosti čelia konkurencii zo strany YMTC.
Obsah
- Plán výroby NAND spoločnosti Samsung stanovuje dva míľniky
- Technológia V9 má za sebou zavedenú históriu výroby
- Čínske závody zostávajú stredobodom konkurencie v oblasti pamätí
- Záver
Plán výroby NAND spoločnosti Samsung stanovuje dva míľniky
Projekt v Si-ane spája prechod na pokročilejšie pamäťové čipy s postupným zvyšovaním produkcie waferov. Mesačný cieľ Samsungu na konci roka 2027 je osemnásobkom úrovne plánovanej na december 2026, takže navyšovanie výroby predstavuje významnú súčasť projektu, nie iba jednorazovú modernizáciu zariadení.
Uvedené čísla vyjadrujú zamýšľané úrovne výroby. Nepotvrdzujú, že modernizovaná linka už dosiahla niektorý z cieľov, a samotné objemy waferov neukazujú, aké výnosy alebo zisk investícia prinesie.
| Položka | Podrobnosti |
|---|---|
| Samsung, Si-an | Plánovaná technológia: NAND V9 s 286 vrstvami. |
| SK Hynix, Ta-lien — súčasnosť | Existujúca technológia, opísaná ako NAND s 192 vrstvami. |
| SK Hynix, Ta-lien — modernizácia | Plánovaná technológia: NAND s najmenej 240 vrstvami. |
Technológia V9 má za sebou zavedenú históriu výroby
Oznámenie spoločnosti Samsung z apríla 2024 o V-NAND deviatej generácie poskytuje technologický kontext k plánu v Si-ane. Spoločnosť 23. apríla 2024 oznámila, že začala hromadnú výrobu svojej V-NAND deviatej generácie s kapacitou jeden terabit a trojúrovňovými bunkami.
Samsung uviedol, že táto generácia zvýšila bitovú hustotu približne o 50 % v porovnaní s predchádzajúcou generáciou, podporovala rýchlosť vstupu a výstupu dát až 3,2 gigabitu za sekundu a znížila spotrebu energie o 10 %. Ide o porovnanie generácií produktov, nie o merania výkonnosti plánovanej modernizácie v Si-ane.
Toto rozlíšenie je dôležité: vývoj z októbra 2026 sa týka nasadenia pokročilej technológie v konkrétnom výrobnom závode, nie prvého uvedenia NAND deviatej generácie.
Čínske závody zostávajú stredobodom konkurencie v oblasti pamätí
SK Hynix modernizuje aj svoj závod v Ta-liene, kde prechádza od NAND s 192 vrstvami k čipom s najmenej 240 vrstvami. Obaja juhokórejskí výrobcovia čelia stupňujúcej sa konkurencii čínskej spoločnosti Yangtze Memory Technologies Co., známej ako YMTC.
Súbežné projekty ukazujú, že konkurenčná reakcia zahŕňa modernizáciu výrobných technológií aj zvyšovanie produkcie. Oznámené počty vrstiev opisujú plánované čipy, samy osebe však nevypovedajú o výrobných nákladoch, výťažnosti ani ziskovosti.
Záver
Najbližším oznámeným míľnikom je cieľ Samsungu dosiahnuť v závode v Si-ane do decembra 2026 produkciu 5 000 waferov mesačne. Pokrok pri dosahovaní tejto úrovne bude prvým kontrolným bodom pred rozsiahlejším rozšírením plánovaným na koniec roka 2027.
Ďalšie správy
Upozornenie
Tento článok FinanceVelix poskytuje všeobecné informácie, nie personalizované finančné, investičné, právne ani daňové poradenstvo. Trhové ceny, úrokové sadzby a ekonomické podmienky sa môžu meniť; investície prinášajú riziko straty. Fakty vychádzajú z materiálov dostupných v čase zverejnenia a môžu sa zmeniť. Dôležité informácie si overte nezávisle a v prípade potreby sa obráťte na kvalifikovaného odborníka. Zmienka o aktíve, spoločnosti alebo službe nepredstavuje odporúčanie.
