Виробництво NAND Samsung у Китаї планують технологічно модернізувати згідно з планами, оголошеними 21 жовтня 2026 року. Samsung Electronics планує запровадити на своєму заводі в Сіані чипи V9 NAND із 286 шарами, орієнтуючись на щомісячний випуск 5 000 пластин до грудня 2026 року та 40 000 пластин до кінця 2027 року.
Основні висновки
- Цільові показники виробництва в Сіані є запланованими етапами, а не вже досягнутим збільшенням випуску.
- Технологія NAND дев’ятого покоління від Samsung з’явилася раніше за модернізацію в Китаї: її масове виробництво розпочалося у квітні 2024 року.
- SK Hynix також модернізує виробництво в Китаї, оскільки обидві компанії стикаються з конкуренцією з боку YMTC.
Зміст
- План Samsung щодо NAND передбачає два етапи нарощування виробництва
- Технологія V9 має історію промислового виробництва
- Китайські заводи залишаються в центрі конкуренції на ринку пам’яті
- Висновок
План Samsung щодо NAND передбачає два етапи нарощування виробництва
Проєкт у Сіані поєднує перехід на більш передові чипи пам’яті з поетапним збільшенням випуску пластин. Цільовий щомісячний показник на кінець 2027 року вісім разів перевищує рівень, запланований на грудень 2026 року, тож нарощування виробництва є суттєвою частиною проєкту, а не одноразовою модернізацією обладнання.
Ці цифри описують заплановані обсяги виробництва. Вони не свідчать про те, що модернізована лінія вже досягла будь-якого з цільових показників, а самі лише обсяги пластин не вказують на дохід або прибуток, який принесе інвестиція.
| Позиція | Деталі |
|---|---|
| Samsung, Сіань | Запланована технологія: V9 NAND із 286 шарами. |
| SK Hynix, Далянь — поточний стан | Наявна технологія описується як NAND із 192 шарами. |
| SK Hynix, Далянь — модернізація | Запланована технологія: NAND щонайменше із 240 шарами. |
Технологія V9 має історію промислового виробництва
Оголошення Samsung у квітні 2024 року про V-NAND дев’ятого покоління дає уявлення про технологічну основу плану щодо Сіаня. 23 квітня 2024 року компанія повідомила, що розпочала масове виробництво V-NAND дев’ятого покоління ємністю один терабіт із трирівневими комірками.
Samsung заявила, що це покоління підвищило щільність бітів приблизно на 50% порівняно з попереднім, забезпечило швидкість введення-виведення даних до 3,2 гігабіта за секунду та знизило енергоспоживання на 10%. Це порівняння характеристик поколінь продукту, а не вимірювання продуктивності запланованої модернізації в Сіані.
Ця відмінність важлива: зміни, оголошені в жовтні 2026 року, стосуються впровадження передової технології на конкретному виробничому майданчику, а не першого запуску NAND дев’ятого покоління.
Китайські заводи залишаються в центрі конкуренції на ринку пам’яті
SK Hynix також модернізує свій завод у Даляні, переходячи від NAND із 192 шарами до чипів щонайменше із 240 шарами. Обидва південнокорейські виробники стикаються з посиленням конкуренції з боку китайської Yangtze Memory Technologies Co., або YMTC.
Паралельні проєкти показують, що конкурентна відповідь передбачає як модернізацію технології виробництва, так і збільшення випуску. Заявлена кількість шарів характеризує заплановані чипи, але сама по собі не визначає виробничих витрат, виходу придатної продукції чи прибутковості.
Висновок
Наступний заявлений етап — досягнення Samsung цільового показника в 5 000 пластин на місяць у Сіані до грудня 2026 року. Просування до цього рівня стане першим контрольним етапом перед масштабнішим розширенням, запланованим на кінець 2027 року.
Читайте більше новин
Застереження
Ця стаття FinanceVelix містить загальну інформацію, а не персоналізовані фінансові, інвестиційні, юридичні чи податкові рекомендації. Ринкові ціни, процентні ставки та економічні умови можуть змінюватися; інвестиції пов’язані з ризиком збитків. Факти відображають інформацію, доступну на момент публікації, і можуть змінитися. Самостійно перевіряйте важливу інформацію та за потреби звертайтеся до кваліфікованого фахівця. Згадка активу, компанії чи послуги не є рекомендацією.
