根據 2026 年 10 月 21 日公布的計畫，三星在中國的 NAND 生產將進行技術升級。三星電子計畫在西安廠導入 286 層 V9 NAND 晶片，目標是在 2026 年 12 月達到每月 5,000 片晶圓，並於 2027 年底達到每月 40,000 片晶圓。

重點摘要

  • 西安廠的產量目標是規劃中的里程碑，並非已實現的產量增幅。
  • 三星第九代 NAND 技術早於此次中國廠升級，已於 2024 年 4 月開始量產。
  • SK 海力士也在升級其中國廠的生產，兩家公司都面臨來自長江存儲（YMTC）的競爭。

目錄

三星 NAND 計畫設定兩個生產里程碑

西安專案結合了轉向更先進記憶體晶片，以及分階段提升晶圓產量。三星在 2027 年底的月產量目標，是 2026 年 12 月規劃水準的八倍，因此，產能爬升是該專案的重要部分，而非一次性的設備升級。

這些數字代表預定的產量水準，並不能證明升級後的產線已達到任何一項目標；晶圓產量本身也無法說明這項投資將帶來多少營收或利潤。

項目詳細資料
三星，西安規劃技術：286 層 V9 NAND。
SK 海力士，大連——目前現有技術為 192 層 NAND。
SK 海力士，大連——升級後規劃技術：至少 240 層的 NAND。

V9 技術已有成熟的生產歷程

三星於 2024 年 4 月發布的第九代 V-NAND 公告，提供了西安計畫的技術背景。2024 年 4 月 23 日，三星宣布已開始量產其 1 Tb 三層單元（TLC）第九代 V-NAND。

三星表示，與前一代相比，該世代的位元密度提高約 50%，資料輸入／輸出速度最高可達每秒 3.2 吉位元，功耗則降低 10%。這些是不同產品世代之間的比較，並非西安廠規劃升級後的效能測量結果。

這項區別很重要：2026 年 10 月的進展涉及在特定製造廠導入先進技術，而非首次推出第九代 NAND。

中國廠仍是記憶體競爭的焦點

SK 海力士也在提升其大連廠的能力，將 NAND 技術從 192 層升級至至少 240 層。這兩家韓國製造商都面臨來自中國長江存儲（YMTC）日益激烈的競爭。

這些同步推進的專案顯示，競爭因應措施既包括升級生產技術，也包括提高產量。公布的層數描述的是規劃中的晶片，但僅憑這些數字無法確定製造成本、良率或獲利能力。

結論

下一個明確提出的里程碑，是三星目標於 2026 年 12 月在西安達到每月 5,000 片晶圓。朝此目標推進的進度，將是 2027 年底前規劃進一步擴產之前的第一個檢查點。

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