根据2026年10月21日公布的计划，三星在中国的NAND生产将进行技术升级。三星电子计划在其西安工厂导入286层V9 NAND芯片，目标是在2026年12月实现月产5,000片晶圆，并在2027年底达到月产40,000片晶圆。
核心要点
- 西安工厂的产量目标是计划中的阶段性目标，并非已经实现的产量增长。
- 三星第九代NAND技术早于此次中国工厂升级，已于2024年4月进入大规模生产。
- SK海力士也在升级其中国工厂的生产能力，两家公司均面临来自长江存储（YMTC）的竞争。
目录
三星NAND计划设定两项生产里程碑
西安项目将采用更先进的存储芯片，并分阶段提高晶圆产量。三星计划到2027年底实现的月产目标，是2026年12月计划水平的八倍，因此产能爬坡是该项目的重要组成部分，而非一次性的设备升级。
这些数字描述的是预期产量水平，并不能证明升级后的产线已达到任何一个目标；晶圆产量本身也无法说明这项投资将带来多少收入或利润。
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 三星，西安 | 计划采用的技术：286层V9 NAND。 |
| SK海力士，大连——现有技术 | 现有技术被描述为192层NAND。 |
| SK海力士，大连——升级计划 | 计划采用的技术：至少240层的NAND。 |
V9技术已有成熟的生产历史
三星于2024年4月发布的第九代V-NAND公告为西安计划提供了技术背景。2024年4月23日，该公司宣布已开始大规模生产其第九代1太比特（terabit）三级单元（TLC）V-NAND。
三星表示，与上一代产品相比，该代产品的位密度提高约50%，支持最高每秒3.2吉比特的数据输入/输出速度，功耗则降低10%。这些数据是不同产品代际之间的比较，并非对西安计划升级项目性能的测量。
这一区别很重要：2026年10月的进展涉及在特定制造基地部署先进技术，而非首次推出第九代NAND。
中国工厂仍是存储器竞争的焦点
SK海力士也在升级其大连工厂，将NAND从192层提升至至少240层。两家韩国制造商都面临来自中国长江存储科技有限责任公司（YMTC）日益激烈的竞争。
这两个并行项目表明，竞争应对措施既包括升级生产技术，也包括提高产量。公布的层数描述的是计划生产的芯片，但仅凭这些数据无法确定制造成本、良率或盈利能力。
结论
下一个已公布的里程碑是三星计划于2026年12月将西安工厂的月产量提升至5,000片晶圆。实现这一目标的进展，将成为2027年底前进一步扩大产能之前的首个检验节点。
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