联电与AP Memory于2026年10月22日宣布开展AI电力输送合作。此前，AP Memory的S-SiCap Gen2D分立式硅电容器设计已于第三季度完成流片和初步功能验证。两家公司接下来将对基板封装中的电容器进行全面的系统级性能与可靠性测试。
要点
- 此次合作结合了联电的深沟槽电容器制造技术与AP Memory的电容器设计和系统集成能力。
- 流片和初步功能验证已完成；全面的系统级测试是下一步。
- 两家公司还在探索嵌入电容器的中介层和封装底部电容器。
目录
AI电力输送更靠近计算芯片
此次合作旨在应对人工智能和高性能计算系统中的电源效率挑战。联电将提供其深沟槽电容器代工技术和可扩展的晶圆制造能力，AP Memory则提供硅电容器设计和系统级集成能力。
两家公司表示，电源稳定组件的布局正从电路板转向嵌入中介层或基板。根据公告，将这些组件放置在更靠近计算芯片的位置，可以缩短电力输送路径、改善电源完整性，并支持在先进封装内更高效地进行电压调节。
具体布局取决于系统设计：深沟槽电容器可以集成到中介层、基板或先进封装的底部。
初步验证后将进行更广泛测试
第三季度的里程碑涵盖AP Memory的S-SiCap Gen2D分立式电容器设计完成流片和初步功能验证。这并不意味着下一开发阶段所确定的全面系统级性能与可靠性测试已经完成。
该测试将评估基板封装中的电容器，目标是满足一系列电容和工作电压要求。AP Memory总裁Ivan Hong表示，初步工作证明了该公司利用联电技术定制的电容器设计具备灵活性和可制造性。
除分立式设计外，合作双方还在探索是否将合作范围扩展到嵌入电容器的中介层和封装底部电容器，以适配不同的系统架构。
联电概述更广泛的电源组件路线图
联电更广泛的路线图包括分立式和嵌入式硅电容器，以及内部电压调节器等有源组件。该晶圆代工厂表示，正运用其先进封装能力，支持面向下一代数据中心的电源组件更高密度集成。
联电还表示，正在进一步投资电力输送和异构集成解决方案的制造产能。公告未说明投资规模，也未提供联合开发电容器的商业化生产时间表。
结论
此次合作已通过初步设计与验证里程碑。下一阶段将进行更广泛的性能与可靠性测试，而拓展至其他电容器形式的可能性仍处于探索阶段。
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