聯電與 AP Memory 於 2026 年 10 月 22 日宣布展開 AI 電力傳輸合作，此前 AP Memory 的 S-SiCap Gen2D 分離式矽電容器設計已於第三季完成流片及初步功能驗證。兩家公司下一步將對基板封裝中的電容器進行全面的系統層級效能與可靠性測試。

重點摘要

  • 這項合作結合聯電的深溝槽電容器製造技術，以及 AP Memory 的電容器設計與系統整合能力。
  • 已完成流片及初步功能驗證；下一步將進行全面的系統層級測試。
  • 兩家公司也在探討嵌入電容器的中介層與封裝底側電容器。

目錄

AI 電力傳輸更靠近運算晶粒

這項合作旨在解決人工智慧與高效能運算系統的電力效率挑戰。聯電將提供深溝槽電容器晶圓代工技術及可擴展的晶圓製造能力，AP Memory 則提供矽電容器設計與系統層級整合能力。

兩家公司表示，電力穩定元件的配置正從電路板轉向嵌入中介層或基板。根據公告，將這些元件配置在更靠近運算晶粒的位置，可縮短電力傳輸路徑、提升電源完整性，並支援先進封裝內更有效率的電壓調節。

元件配置取決於系統設計：深溝槽電容器可整合至中介層、基板或先進封裝的底側。

初步驗證後將展開更廣泛測試

第三季的里程碑涵蓋 AP Memory 的 S-SiCap Gen2D 分離式電容器設計完成流片及初步功能驗證。這並不代表已完成全面的系統層級效能與可靠性測試；該測試被列為下一階段的開發工作。

這項測試將評估基板封裝中的電容器，目標是支援多種電容量與工作電壓需求。AP Memory 總裁 Ivan Hong 表示，初步工作展現了該公司客製化電容器設計在採用聯電技術時的靈活性與可製造性。

除了分離式設計外，合作夥伴也在探討是否將合作範圍擴展至嵌入電容器的中介層，以及適用於不同系統架構的封裝底側電容器。

聯電提出更全面的電力元件發展藍圖

聯電更全面的發展藍圖涵蓋分離式與嵌入式矽電容器，以及內部電壓調節器等主動元件。這家晶圓代工廠表示，正運用其先進封裝能力，支援次世代資料中心更高密度的電力元件整合。

聯電也表示，正進一步投資電力傳輸與異質整合解決方案的製造產能。公告並未說明投資規模，也未公布共同開發電容器的商業量產時程。

結論

這項合作已達成初步設計與驗證里程碑。下一階段將進行更廣泛的效能與可靠性測試，而拓展至其他電容器形式的可能性仍在探索中。

閱讀更多新聞

更多 FinanceVelix 新聞

免責聲明

本文由 FinanceVelix 提供一般資訊，不構成個人化財務、投資、法律或稅務建議。市場價格、利率與經濟狀況可能變動；投資涉及虧損風險。本文事實反映發布時可取得的資料，且可能有所變更。請自行核實重要資訊，並在需要時諮詢合格專業人士。提及任何資產、公司或服務均不代表推薦。